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2) 직류고압발전기
3) 변압기와 정류기를 조합한 장치
4) 정전발전기
2. 케넨트론 정류기
1) 정류관의 직렬접속
2) 배전압 발생회로
3) 다역정류회로
3. 금속정류기
4. 기계적정류기
5. 첨단정류기
6. 정전적 고전압발생장치
참고문헌
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0.140V/5.58V 0.0251
전압변동률(VR) = (무부하전압-전부하전압) / 전부하전압
A-G : 전압변동률(VR) = (10.88V-6.68V)/6.68V 0.6287
P-G : 전압변동률(VR) = (10.68V-5.58V)/5.58V 0.912
4. 참고문헌
전기 전자 통신공학도를 위한 기초회로실험ㅣ강경인 외ㅣ문은당
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전압강하의 두 배 만큼 줄어든다.
참고 문헌
http://myhome.naver.com/electrano/jungryu.html
http://photon.kyunghee.ac.kr/%7Ekhyoo/lecsub/bel11-rect.hwp
정정화 박민용 과학도를 위한 전자 공학 희중당 (1) 정류회로
(2) 반파 정류회로
(3) 배전압 정류 회로
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맞게 설계한다.
단, I : 직류 부하전류
f : 리플주파수
C : 커패시턴스
참고문헌
대학기초실험 : 최승헌 외 3명 공저 : 복두출판사
일렉트로닉스 : MALVINO : 대영사
신회로이론 : 박송배 저 : 문운당
일반전자공학실험 : 김태중 저 : 상학당
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Plot 하라.
▲ Vo 의 P 에대한 관계식
▲ P=0 일 때, Vo=0 이기위한 가변저항 R2의 저항값
▲ P=0 일 때, Vo 의 P 에대한 관계식
참고문헌
전자용어대사전 : 기다리 출판사
신회로이론 : 박송배 저 : 문운당
일반전자공학실험 : 김태중 저 : 상학당
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▲ 시상수
▲ R-L 회로에서 R에 비하여 L이 클수록 시정수가 커지며, 지수적 변화가 서서히 일어난다. 이것은 전류에 대한 L의 관성에 기인한다.
참고문헌
신회로이론 : 박송배 저 : 문운당
일반전자공학실험 : 김태중 저 : 상학당
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회로
R
위와 같은 R-C 직렬회로에서
이므로 입력임피던스는
여기서
이므로 전류는 전압보다 위상이 만큼 앞선다.
참고문헌
신회로이론 : 박송배 저 : 문운당
일반전자공학실험 : 김태중 저 : 상학당 1. 실험일자
2. 실험제목
3. 실험목적
4.
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정현파와 삼각파, 구형파로 파형변화를 할 때, 정확히 10 V로 맞춘것이아니라 정현파에서 고정시켰던 값으로 실험하였기 때문인 것으로 추측되어진다.
참고문헌
신회로이론 : 박송배 저 : 문운당
일반전자공학실험 : 김태중 저 : 상학당
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실험 : 최승헌 외 3명 공저 : 복두출판사
일렉트로닉스 : MALVINO : 대영사
신회로이론 : 박송배 저 : 문운당
일반전자공학실험 : 김태중 저 : 상학당 1. 실험일자
2. 실험제목
3. 실험목적
4. 실험준비물
5. 실험절차
6. 기본지식 및 관
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