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실험1]
부품값
0.1kΩ
0.5kΩ
1kΩ
5kΩ
6kΩ
10kΩ
그림(a)
0.1uF
0.5uF
그림(b)
1mH
10mH
[실험2]
부품값
0.1kΩ
0.5kΩ
1kΩ
5kΩ
6kΩ
10kΩ
그림(a)
0.1uF
0.5uF
그림(b)
1mH
10mH
5.참고자료 :
Pspoce와 함께하는 기초전자전기공학실험 (홍순관외 3명, 홍릉과학출판사)
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전자기초실험, 복두출판사, 2002.
- 인천대물리학과교수 공역 / 일반 물리학 / 청범출판사 / 2009년
- 네이버 두산백과사전.
- http://blog.naver.com/shumata/40036363503
- http://physica.gsnu.ac.kr/
- http://www.terms.co.kr/impedance.htm
- http://www.wikipedia.org/
- http://blog.naver.
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전자회절관에 걸어준 전압)(단위 kV)
:회절무늬 중 작은 반지름(안쪽에서부터 첫 번째 원의 반지름)(단위 cm)
:회절무늬 중 큰 반지름(작은반지름 보다 큰 회절무늬의 반지름)(단위 cm)
6.실험결과
1)전압과 전자파의 파장과의 관계
전자회절관에
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6.측정값
실험1)전기장만 걸었을 때의 전자선 편향
전기장만 걸은 상태로 이때 에노드 전압 즉, 전자를 발사하는데 쓰는 전압과 전기장을 걸기위한 두 판 사이의 전압,두 판 사이의 거리, 그리고 편향된 거리 x,y를 측정
1
2
3
4
5
(V)
5000
5000
5000
50
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회로의 미분방정식 외에도 반도체는 미적분과 많은 연관이 있다. 반도체 산업에서 미적분학을 활용한 구체적인 예시로는 전자 소자의 설계 및 최적화 과정을 들 수 있다. 미적분학은 전자의 이동이나 전류의 흐름과 같은 물리적 현상을 수학
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실험값
5.238
5.238
5.238
mA
측정값
5.2847
5.2849
5.2817
오차
0.0467
0.0469
0.0437
오차율
0.892%
0.895%
0.834%
R1
R2
R3
단위
모의실험값
0.524
1.047
1.729
V
측정값
0.52036
1.05109
1.72654
오차
-0.00364
0.00409
-0.00246
오차율
-0.695%
0.391%
-0.142%
<전압>
<회로 2> 최대허용
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전자실험, 홍릉과학출판사>
<http://blue.snut.ac.kr/~hldo>
<http://www.ecircuitcenter.com/Circuits/opwien/opwien.htm>
<http://en.wikipedia.org/wiki/Wien_bridge_oscillator> 1. 실험목표
2. 기본이론
3. 사용기기와 부품
4. 실험내용과 방법
5. 데이터 분
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전자공학 > 반도체 > 트랜지스터 > FET]
http://www.ktword.co.kr/word/abbr_view.php?m_temp1=4235&id=1341&nav=2&m_search=FET%EB%B0%94%EC%9D%B4%EC%96%B4%EC%8A%A4
[Fundamentals of Microelectronics]
B.Razavi 저 | John Wiley 2nd Edition
[전자회로실험]
이현규, 김영석 저 | 충북대학교출
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실험이었다. 실험데이터하고 이론식과 실험식에 그 값들을 적용하여 Matlab을 이용한 그래프를 만들고 정리하는 파트를 맡게 되었다. 우선 Bread board에 RC 회로와 CR 회로를 만들고 디지털 오실로스코프에 연결하여 각각의 회로에서 Sine Wave 와 Squ
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물리적인 크기와 단가를 고려하여 이내로 설계한다.
▶실험의 회로는 “연산교류적분기”의 회로로써, 입력오프셋 전압과 입력오프셋 전류의 영향으로 인해 출력전압이 포화될수 있으므로 이러한 직류 성분에 대해 이득을 제한한다. 미
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