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회로에서 Q <1 일 때, 공진의 특성이 잘 나타나는 것을 알 수 있는 실험이었다.
실험2 : RLC 직렬공진회로 (Q >1 일 때)
R = 33Ω, C = 1mH, L = 0.1uF
측정값 데이터
구분
측정값
최대값
위상
Vi 측정
3V
0
VR 측정
160mv
0
VL 측정
3v
0
VC 측정
1v
측정되지 않
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회로구성을 어떻게 할 것이냐에 따라 다르게 된다. 1. 목적 ……………………………………… 3P
2. 서론 ……………………………………… 3P
3. 부품 및 기기 …………………………… 3P
4. 실험순서 ……………………………… 3~4P
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DMM의 COM단자와 플러그(plug)의 접지단자 사이의 저항을 측정하면 얼마가 되겠는가?
▶ 접지선이 존재한다면 측정 시 저항은 0Ω이 된다.
전자 전기 실험
3월 7일 예비 레포트
- 저항, 전압, 전류의 측정 1. 목적
2. 실험준비물
3. 실험계획서
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회로와 RL회로의 전달함수의 크기와 주파수특성을 실험적으로 구할 때 측정주파수를 각각에 대해 결정하라. (실험계획 3.2, 3.6 참조. 예 : 100, 200, 400, 600 ㎐ 등, 그러나 변화가 많은 부분에서는 주파수 간격을 작게 해야 한다.)
초기 30㎑까지 곡
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EXCEL사용). 주파수가 커지면서 위상차의 부호가 바뀔 수 있는가?
주파수가 커져도 전달함수의 크기가 감소함수에서 증가함수로 바뀌지는 않는다.
주파수가 커져도 위상차의 부호가 바뀌지 않는다. 1. 목적
2. 시험준비물
3. 실험계획서
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1. 목적
인덕터(inductor)와 저항이 직렬로 연결된 회로의 과도응답(transient response)을 실험하고 이해한다.
2. 실험준비물
▪ DMM
▪ 오실로스코프
▪ 함수발생기
▪ 탄소저항 : 1kΩ, 5%, W 1개
▪ 인덕터 : 10mH, 5% 1개
▪ 점퍼선
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전자가 들어가는 끝인 Drain(그러므로 전류의 방향: Drain -> Source), 마지막으로 P형 영역인 Gate로 이루어지며 이 단자들은 각각 BJT의 Emitter, Collector, Base와 연관지어 비교할 수 있다. 실험에 관련된 이론 1
실험회로 및 시뮬레이션 결과 2
실
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FUNDAMENTALS OF MICROELECTRONICS, RAZAVI, WILEY, 2008.
- FEEDBACK CONTROL OF DYNAMIC SYSTEMS, F.FRANKLIN, PEARSON PRENTICE HALL, 2010.
- 전자회로실험 교재, 아주대학교, 2011. < 1. 전 략 >
< 2. 이 론 >
< 3. 예비 설계 및 설계 결과 예상 (시뮬레이션) >
< 4. 참 고 문 헌 >
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회로이론, 한경희외 공저, 형설출판사, 1991.2
2. 전기전자기초실험, 신정록외 공저, 한올출판사 1996.8
3. 전기회로, 최윤식외 공저, 의중당, 1996.2
4. 디지털전자회로, 김기남 저, 네트웍텔레콤 정보기술원, 1998.2
5. 집적회로, 이영훈 저, 상학당, 2002
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실험방법
6. 실험결과
가. 저항 측정데이터
나. 3가지 경우 저항의 측정결과 치
7. 검토 및 고찰
가. 저항측정의 검토 및 고찰
나. 저항의 3가지 측정값에 대한 검토 및 고찰
( 저항 단독 시 , 회로 구성 후 측정값 , 회로완성 시 측정값)
실험규명
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