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회로구성을 어떻게 할 것이냐에 따라 다르게 된다. 1. 목적 ……………………………………… 3P
2. 서론 ……………………………………… 3P
3. 부품 및 기기 …………………………… 3P
4. 실험순서 ……………………………… 3~4P
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실험4. 키르히호프의 법칙
1.실험의 목적
-키르히호프의 전류법칙(제1법칙)을 실험으로 확인한다.
-키르히호프의 전압법칙(제2법칙)을 실험으로 확인한다.
2.관련이론
*키르히호프의 법칙
키르히호프의 법칙은 저항의 직렬 혹은 병렬회로와 무
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DMM의 COM단자와 플러그(plug)의 접지단자 사이의 저항을 측정하면 얼마가 되겠는가?
▶ 접지선이 존재한다면 측정 시 저항은 0Ω이 된다.
전자 전기 실험
3월 7일 예비 레포트
- 저항, 전압, 전류의 측정 1. 목적
2. 실험준비물
3. 실험계획서
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회로와 RL회로의 전달함수의 크기와 주파수특성을 실험적으로 구할 때 측정주파수를 각각에 대해 결정하라. (실험계획 3.2, 3.6 참조. 예 : 100, 200, 400, 600 ㎐ 등, 그러나 변화가 많은 부분에서는 주파수 간격을 작게 해야 한다.)
초기 30㎑까지 곡
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회로-
위 그리미에서 보이는 Q1트랜지스터는 음계 발생회로에서 생긴 구형파를 전력 증폭하여 스피커를 구동하게 하는 역할을 한다. 즉 실험 시간에 다룬 음성 증폭기 역할을 하게 되고 CLASS A증폭기라고 할 수 있다.
트랜스, 즉 출력 변압기는
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EXCEL사용). 주파수가 커지면서 위상차의 부호가 바뀔 수 있는가?
주파수가 커져도 전달함수의 크기가 감소함수에서 증가함수로 바뀌지는 않는다.
주파수가 커져도 위상차의 부호가 바뀌지 않는다. 1. 목적
2. 시험준비물
3. 실험계획서
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1. 목적
인덕터(inductor)와 저항이 직렬로 연결된 회로의 과도응답(transient response)을 실험하고 이해한다.
2. 실험준비물
▪ DMM
▪ 오실로스코프
▪ 함수발생기
▪ 탄소저항 : 1kΩ, 5%, W 1개
▪ 인덕터 : 10mH, 5% 1개
▪ 점퍼선
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전자가 들어가는 끝인 Drain(그러므로 전류의 방향: Drain -> Source), 마지막으로 P형 영역인 Gate로 이루어지며 이 단자들은 각각 BJT의 Emitter, Collector, Base와 연관지어 비교할 수 있다. 실험에 관련된 이론 1
실험회로 및 시뮬레이션 결과 2
실
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FUNDAMENTALS OF MICROELECTRONICS, RAZAVI, WILEY, 2008.
- FEEDBACK CONTROL OF DYNAMIC SYSTEMS, F.FRANKLIN, PEARSON PRENTICE HALL, 2010.
- 전자회로실험 교재, 아주대학교, 2011. < 1. 전 략 >
< 2. 이 론 >
< 3. 예비 설계 및 설계 결과 예상 (시뮬레이션) >
< 4. 참 고 문 헌 >
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완전한 D/A변환기이다. D/A변환기에서와 같이 A/D변환기에도 분해능, 비선형성과 같은 Spec이 사용된다. A/D변환기의 또 하나의 중요한 파라미터는 아날로그 입력을 디지털 출력으로 바꾸는데 걸리는 변환시간이다. ■ 실험목적
■ 실험이론
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