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배에서 수백 배의 전류가 이미터로 흐르게 한다. 따라서 포토인터럽트의 장점은 LM324와 같은 별도의 신호 처리 회로가 필요 없이 게이트나 프로세서에 직접 연결해도 된다는 것이다. 1. 실험목적
2. 관련이론
3. 설계내용
4. 연구과제
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4. 토의
표 13-4에서의 측정값을 계산 값과 비교해 보았는데 오차가 0.09%에서 5.04%까지 발생하였다. 이 정도의 오차는 저항의 색에 의한 판독으로 얻을 수 있는 오차인 ±5% 에서 크게 벗어나지 않는 범위로 발생하였다. 그리고 전원공급기의 단
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범위에서 저항을 측정할 수 있다. 저항이 일 때 측정하면 브리지는 의 현재 값으로 평형이 될 수 없다. 브리지가 평형을 이루려면 ratio arms의 설정을 바꾸어야 한다.
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/DIV : 0.2V, TIME/DIV : 2㎲로 조정한 후 FG 출력파형, 저항전압파형, 인덕터파형을 측정한다.
※ FG 출력파형, 저항 전압파형
※ FG 출력파형, 인덕터 전압파형
5. 결과 및 분석
5.1 실험 4.1의 결과, 즉 입력전압을 기준으로 한 R, L의 전압을 그리고 제
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회로의 임피던스를 계산하여표2-3에 기록한다.
실험 A 실험 B
실험 C 인덕터의 파형 실험 C 커패시터의 파형 1. 목적
2. 이론
3. 실험과정
A. RL회로의 임피던스와 전압관계
B. RC회로의 임피던스와 전압관계
C. 직렬RLC회로의 임피던스
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기 위해 절연 장갑과 고글을 착용하는 것이 좋다. 또한 전기적 사고를 피하기 위해 장비와 기판의 접지 상태를 확인해야 한다. 실험 중에는 특히 고전압 회로를 다룰 때 주의해야 하며, 변압기나 전원 공급 장치의 출력을 조절할 때는 항상 안
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실험 결과를 비교하여 오차 원인 분석을 수행할 계획이다. 실습 종료 후, 경험한 내용을 정리하여 보고서에 작성하고, MOSFET 소자의 이해를 더욱 깊게 할 수 있는 기회를 마련할 예정이다. 이 모든 과정을 통해 전자 회로에서 MOSFET 소자의 중요
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회로에서의 동작을 연구하는 것도 흥미로운 주제가 될 것이다. 더 나아가, 무선통신이나 전력 전자기기에서의 효율적인 회로 설계를 위해 새로운 회로 Topology를 실험하고 그 성능을 평가하는 연구도 고려해야 한다. 마지막으로, 교육적 차원
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회로에서 발생하는 손실이나 비선형 요소 때문일 수 있다. 실험 결과는 회로의 설계 및 분석에 있어 중요한 참고자료가 되며, 다양한 회로의 응용 가능성을 확장하는 데 기여한다. RL과 RC 회로의 이해는 전자공학의 기초를 다지는 중요한 단계
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회로의 바이어스 전압에 영향을 주지 않도록 달아준다. 그러면 높은 직류 콜렉터 전압은 차단되고 증폭 된 교류신호 전압만 다음 단으로 넘어가게 된다.
<그림 2 고정 bias 회로>
3. 설계
<그림 3 실험에 사용 된 회로도> <그림 4 실험
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