|
회로의 손실이 작긴 하지만 귀환을 하기 위해서 다른 저항을 이용하기 때문에 전압 이득이 나빠지는 것을 알 수 있었다.
전압 분배 바이어스에서는 전압, 전류 값일이 영향을 받아 안정도가 좋지 않지만 실험에서는 이미터 저항을 이용해 안
|
|
|
실험2) NPN트랜지스터의 실험
이 실험은 PNP 트랜지스터 2N3906으로 실험하던 실험1의 회로에서 트랜지스터 소자를 2N3904로 교체를 한후 처음 실험과 동일한 방법으로 실험을 하였다. 실험 방법중에 다른 점이 있다면 바이어스 극성을 맞추어 주는
|
|
|
실험에서 구한 와 를 이용하여 을 다음 식을 사용하여 구하여라.
- 앞서 실험을 통해 구해낸 드레인 전류값을 통해 을 구한 결과 약 7.9라는 값이 계산되었다.
(9) <그림 2>처럼 바이어스 회로를 구성하여 각 저항의 크기를 기록하라.
동작점(
|
|
|
회로에서 들어오는 전류와 흘러 나가는 전류 에 전류계를 연결하여 각 점에서의 전류를 기록하고, 들어오는 전류와 나가는 전류가 같은지 확인한다. (제1법칙) 및 점에서도 같은 실험을 반복한다.
③ 및 의 저항값을 기록하고 건전지의 전압을
|
|
|
회로를 이용하여 앞으로는 Intelligent paper(전자신문), RFID 칩 구현, Display, 각종 Biosensor 들을 구현하여 각종 산업, 의학, 물류 등 여러 분야에서 이롭게 이용될 수 있을 것이다.
앞서 소개한 CLF conductive ink를 이용한 interdigitated electrode 구조에 electro
|
|
|
회로의 기본 원리를 이해하는 데 큰 도움이 되었으며, 전기 회로 설계나 분석에서 키르히호프의 법칙과 전압 분배 원리가 필수적이라는 사실을 다시 한번 상기시켰다. 실험 과정에서의 오차를 고려할 때 역시 이론과 실험 간의 차이가 극히
|
|
|
실험에 사용할 부품
저항 1/2W(100Ω , 220Ω , 330Ω , 470Ω) 각 1개
4. 실험방법
(1) 그림 5에서 사용되는 저항의 측정치를 기록하라.(전원은 2V로 변경하여 실험할것,
저항단위는 ohm)
(2) 부하 전압 VL 과 부하 전류 I L 를 계산하라.
(3) 회로망 N에서 단자
|
|
|
회로와 테브닌 등가회로 사이에 보존이 되는 회로변수는 부하저항 양단의 전압과 전류 및 전력임을 확인하는 실험)
VR2 = 2.049V , IA = 10.244mA
◇PR2 = VR2 * IA = 20.989mW , ◇PT = 6.05 * 10.244 = 61.244mW
(2)번의 결과와 비교했을 때 200Ω에 걸리는 전력은 일
|
|
|
실험 4에서는 두 가지의 중요한 게이트인 NAND와 NOR 게이트들에 대한 시험해 보고 모든 기본 게이트들의 진리표를 관찰하였다. 이번 실험에서는 OR와 XOR 게이트들에 대해 시험해 본다. 하지만 이번에는 한층 더 나아가 보고 응용회로에 이들을
|
|
|
회로를 이용하여, 주파수가 1kHz이고 출력 전압이 10Vpp가 되도록 회로를 구성하시오.
3) 각 노드의 파형과 주파수를 측정하고, 이론적으로 계산한 것과 일치하는지 관찰하시오.
①이론
,
②실험결과
: 가로 눈금 한칸은 500μs 로 spec과 잘 맞음을
|
|
메뉴펼치기
