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실험 설계 시 고려해야 할 요소들이 무엇인지를 더 깊이 생각해보게 되었다. 전반적으로, 이번 실험은 변압기와 정류회로의 기초 이해를 높이는 데 크게 기여하였고, 전자회로 설계 및 분석에 대한 기초를 다지는 데 중요한 역할을 했다. 이를
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실험장치의 전압센서를 이용하여 회로의 축전기 양단의 전압을 측정하여 회로에서의 축전기의 역할을 설명할 수 있다.
2.배경이론
(1)축전기(capacitor)
주로 전자회로에서 전하를 모으는 장치이다. 진공 축전기, 공기 축전기, 금속화종이 축전기
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회로보다 힘들었다. 가변 저항을 사용하여 전압과 전류값도 완벽 하였다.
그래도 테브낸의 정리에 대해 이해를 할수 있어 좋았다. 실험은 이해하기 힘들었지만 나름 만족한 실험 인 것 같다.
7.참고문헌
백과사전, 학습용 프린트, 기초 전자회
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실험 결과를 바탕으로 이론을 강화하는 데 기여한다. 이러한 자료들은 MOSFET의 전기적 특성을 이해하는 데 필요한 기초지식을 제공하고, 전자회로 실험에서의 실제 응용과 분석을 돕는 중요한 참고자료가 된다. MOSFET의 최신 연구 동향은 국제
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실험을 끝낼
수가 있었다. 이번 실험도 어렵지 않은 실험 이기 때문에 BCD 회로를 제대로 이해하고,
실험에 임할 수 있도록 해야겠다
3. 참조
① 책이름디지털 회로 실험 / 출판사-진영사 / 저자-박건작외 3명
② 책이름디지털 전자회로 / 출판사-
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전자 회로 실험
리미터 회로 및 클램퍼회로
1.실험 목적
다이오드 직/병렬회로의 입력 정현파에 대한 출력파형의 변화를 실험을 통하여 관측하고, 이를 이용한 순방향 및 역방향 바이어스된 다이오드의 리미터 및 클램퍼회로를 이해
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회로에서의 의미는 open 상태와 같다고 볼 수 있을 것이다. 따라서 다이오드 저항은 무한대로 볼 수 있다. 계산한 다이오드의 저항값과 옴메타로 측정한 저항값에 있어서 Si의 경우 적은 오차가, Ge의 경우 큰 오차가 있었다. 실제 실험 장비를
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전자 회로실험 / 박철원 외2인 / 경문사
기초 전기전자공학실험 /
http://cyber.inha.ac.kr/class/stud/note/lec_no_list.asp
시뮬레이션 결과 분석
시정수τ와 주기T와의 관계에대해 생각해보자.
회로1에서의 시정수 τ= RC = 100 × 0.33×
{ 10}^{-6 }
= 33×
{ 10}^{-6 }
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실험을 하면서 전자회로 시간에 이론적으로 배운 내용을 실험을 통해 확인할 수가 있었다. 그리고 실험도 우리가 원하는 값이 잘 나와 주었기 때문에 실험이 수월하게 끝난 것 같다. 다음 실험도 이번처럼 준비를 잘하여 수월하게 실험하도록
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전자회로, 정용성 저, 도서출판정일, 2005
전자회로의 기초, 강중순 김상진 안기형 이재곤 공저, 북스힐, 2002
전자회로, 정민수 외 6명 공저, 복두출판사, 2006 1.실험 목적
2. 질문
1) Bipolar Junction Transistor
2) BJT 증폭기 회로 해석을 위해, 필
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