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확인한다. 2. 실험 준비물 - 직류전원장치 1대 - 오실로스코프 1대 - Function Generator 1대 - Bread Board 1대 - Quad 2 Input NAND Gate (74LS00) 6개 - Hex Inverter (74LS04) 3개 3. 설계 실습 계획서 (1) JK Master/Slave 플립플롭의 1’s catching에 대해 조사하라. 
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: 1개 저항 : 가변저항 1MΩ 2개, 100kΩ 2개, 10 kΩ 2개 3. 설계실습 계획서 3.1 Current-Steeing 회로 설계 3.1.1 V_DD=V_CC=10V일 때, 출력 전압 ( I )가 1mA가 되도록 <그림 10.1>과 같은 전류원을 설계하라. 이 때 MOSFET M_1, M_2로는 2N7000을 사용한다. 
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  • 등록일 2010.03.28
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계획서에 첨부하라. 여러 종류의 data sheet가 있을 것인데 가장 자세한 것을 선택하여 제출하라. 제출한 data sheet에는 본인이 설계할 때 선택한 값에 빨간색으로 표시를 하라. 모든 저항의 값은 5% 표준에서 선정하고 커패시터는 준비물 중에서
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supply) 1개 Oscilloscope(OSC) 1개 Diode : 1N914 또는 KDS160 1개 저항 : 100kΩ 10% 1개, 5kΩ 10% 1개 Capacitor : 1uF 1개 3. 설계실습 계획서 3.1 Cut-In 전압 아래로 파형이 나오는 Limiting Circuit을 설계하여 제출하여라. (R=5kΩ, V_i=5sinwt(V), f=1kHz 사용하라.) 
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4. 설계실습 내용 및 분석 4.1 설계실습계획서의 3.1.1에서 설계한 <그림 10.1> 회로를 구현하고, M_1과 M_2 각각의 drain current, gate-source voltage, drain-source voltage를 각각 측정하라. M_1과 M_2의 동작영역은? - DMM을 통하여 설계한 회로에서 직접
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의 경우, 위에서 1093.139Ω이란 값이 나왔는데, 주어진 저항 중 1000Ω이 있기 때문에 1000Ω을 사용한다. [P23. 그림 5.2의 (d)] ▶ 옆의 회로처럼 구성을 한 후에 의 전류를 측정한다. [P23. 그림 5.2의 (d)] 1. 목적 2. 실험 준비물 3. 실험계획서
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저항측정모드로 설정한 후 측정한다. 3.7 DMM으로 교류전압(110V, 220V)을 측정하려고 한다. DMM의 조작방법을 제시하라. ▶ DMM을 전압 측정 모드로 설정한 후에, 전압의 측정범위를 유의해서 측정한다. 1. 목적 2. 실험준비물 3. 실험계획서
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DMM의 COM단자와 플러그(plug)의 접지단자 사이의 저항을 측정하면 얼마가 되겠는가? ▶ 접지선이 존재한다면 측정 시 저항은 0Ω이 된다. 전자 전기 실험 3월 7일 예비 레포트 - 저항, 전압, 전류의 측정 1. 목적 2. 실험준비물 3. 실험계획서
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5㎑로 측정을 하고 그 이후는 10㎑간격으로 측정한다. 점점 주파수가 높아 가면 간격을 크게 해서 측정한다. 측정주파수는 0, 5, 10, 15, 20, 25, 30, 40, 50, 60, 70, 80, 90, 100, 200㎑ 등으로 하면 된다. 1. 목 적 2. 실험준비물 3. 실험계획서
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  • 등록일 2006.07.19
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. ■■ Q-인자가 1인 대역저지필터 ▷ Ω ▶ 반력주파수 ▷ ▷ ▷ B = 15920Hz 3.4 병렬공진회로를 그리고 전달함수를 측정하기 위한 연결상태와 측정방법을 기술하라. ▶ CH1 : 입력파형 CH2 : 출력파형 1. 목적 2. 실험준비물 3. 실험계획서
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