|
법칙) D, E 및 F점에서도 같은 실험을 반복한다.
의 저항 값을 기록하고 건전지의 전압을 측정, 기록한다. 이 값을 이용해서 키르히호프 제 2법칙을 확인한다. 위의 회로에서는 두 회로로 나누어 생각할 수 있다.
위의 식을 연립해서 풀면 는 다
|
|
|
키르히호프 법칙 실험기에 저항 R2와 R3을 연결하고
건전지를 E2위치에 끼운 후 I2와 I3을 측정한다.
④ 2회로도와 같이 키르히호프 법칙 실험기에 저항 R1과 R2를 연결하고
건전지를 E1과 E2위치에 끼운 후 I1과 I2를 측정한다.
⑤ 3회로도와 같이
|
|
|
( 27 ) ≡ B ( 26 )
※ 오차 ⇒ 27 - 26 = 1
ㄴ. 키르히호프 제 2법칙 (전압의 법칙) 검증
⇒
※ 오차 ⇒ 26 - 25.1 = 0.9
(3) 회로 3
F
D
E
A
C
B
40.2kΩ
(±5%)
100kΩ
(±5%)
3.3kΩ
(±5%)
-17
-20
36
-36
19
17
※ 본 회로에서 가운데 가지는 위쪽에서 아래쪽으로 흐를 때 전
|
|
|
내부저항을 들수 있는데 오실로스코프 내의 내부저항이 발생할수 있으나 이것은 미미한 수준이므로 실험값에 큰 영향을 미치치 않는다. 1. 실험목적
2. 실험기구
3. 실험이론
4. 실험결과 : 측정값 및 실효값
5. 토의 및 오차의 원인
|
|
|
생겼다. 만약 도선의 길이가 짧거나 저항이 거의 없는 물질을 써서 실험을 아였다면 오차가 줄어들 것이다.
표 4.2 키르히호프 전압법칙
순번
V
[V]
측정값
계산값
측정값
오차
Vad-계산된값 over Vad *100%
Vab
[V]
Vbc
[V]
Vcd
[V]
키르히호프전압법칙에
|
|
|
a-b에 대한 테브닌 전압은 단자 a-b의 개방 전압에 해당하며, 테브닌 등가저항은 단자 a-b의 개방 전압과 단락 전류의 비(ratio)에 해당한다.
5. 옴의법칙 1.정류회로
2. 키르히호프법칙
3. 옴의법칙
4. 테브넹의법칙
5. 브릿지 정류회로
|
|
|
강하는 "-"의 부호를 붙임.
출처 : http://www.cbesr.or.kr/webstudy/%b0%ed/%b1%e2%c5%b8/1/7/chapter2/2-1/1-5.htm
http://nahtec.chonbuk.ac.kr/ %BD%C7%C7%E8%BD%C7/%C0%FC%B7%C2%BD%C3
%BD%BA%C5%DB/electric/ohm.htm (1) 옴의 법칙에 대하여 설명하라
(2) 키르히호프의 법칙에 대하여 설
|
|
|
키르히호프의 법칙은 전류에 관한 제1 법칙과 전압에 관한 제2 법칙이 있다.
제1 법칙은 전류가 흐르는 길에서 들어오는 전류와 나가는 전류의 합이 같다는 것이고,
제2 법칙은 회로에 가해진 전원전압과 소비되는 전압강하의 합이 같다는 것
|
|
|
법칙을 실험을 통해 확인할 수 있었습니다. 그리고 폐쇄 회로를 따라 겪는 전압 강하의 합은 회로내의 기전력의 합과 같다는 폐쇄회로의 법칙을 통해 복잡한 회로를 분석할 수 있었습니다.
키르히호프 법칙을 적용한 결과, 복잡한 회로망에
|
|
|
옴의 법칙에 따른 회로 상에서 전류, 전압, 저항과의 관계 V = IR 을 실험적으로 증명해 본다.
직, 병렬 회로에서의 키르히호프의 법칙을 실험을 통해 확인한다. 1. 실험 목적
2.1 옴의 법칙
2.2 키르히호프의 법칙 (1)
2.2 키르히호프의
|
|
메뉴펼치기
