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트랜지스터 특성곡선 시뮬레이션.
◎공통 베이스 트랜지스터 출력곡선
◎공통 이미터 트랜지스터 출력곡선
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트랜지스터의 증폭작용이라 한다.
실험 기구
① 트랜지스터 ② 건전지 ③ 기판 ④ 저항
⑤ 오실로스코프 ⑥ Function Generator
실험 방법
(1)TR의 콜렉터 특성 곡선
① 위 그림처럼 회로를 꾸민다.
② IB를 10 mA로 조정한다. VCE를 1,2,3,4,5,6v로 변화 시
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곡선을 알아본다.
그림 5- IB-VBE 특성 실험회로.
실험B.
{I}_{C}-{V}_{CE}
특성측정
실험A와같이 트랜지스터 단자를 확인하고 회로를 꾸민다.
{V}_{RB}
가 되도록 Potentiometer
{R}_{!}
을 조절하여
{I}_{B}
가 10㎂되도록 한다.
이때 저항
{R}_{C}
양단간의 전압
{
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트랜지스터
(2) 베이스 전송률
(3) 이미터공통 직류전류 이득
4. Simulation Result
실험1) PNP 다이오드의 4가지 특성
실험2) NPN 다이오드의 4가지 특성
실험3) PNP 공통 에미터 접지 회로
실험4) NPN 공통 에미터 접지 회로
5. Experiment Result
6. co
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터 회로>
<베이스 전류 일 때의 회로>
<작동점을 구하기 위한 트랜지스터 회로>
<베이스 전류 일 때의 회로>
<작동점을 구하기 위한 트랜지스터 회로>
<베이스 전류 일 때의 회로>
< 특성 곡선의 Y축 그리기 >
[2]예비
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