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실험결과
1) 실험 1 : Digital Gate (OR, AND, NOT, EX-OR Gate)
≪ 그 림 ≫ ≪ 표 - 그림 파일 ≫
≪ 그 림 ≫
≪ 사 진 ≫ ≪ 사 진 ≫
≪ 사 진 ≫ ≪ 사 진 ≫
실험결과분석 : 회로도에서 검은색 전선은 GND(그라운드)를 모두 연결
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12V의 전압을 넣어주지 않고 트랜스를 직접 달아서 작동할 수 있게 구현 하였다 프로젝트 개요
회로도 및 시뮬레이션 결과
Time Table 진행 상황 및 임무 분담
증폭 회로
트랜스 회로
입력파형 및 출력파형
문제점 및 해결 방안
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그림 6. 인덕터의 합성 (a)직렬합성, (b)병렬합성.
* 출처 : 지일구, 엄상오 공저「전기 전자 기초 및 제어」기전연구사, 2001.
이병기, 기초회로실험 (교재) 1. 인덕터 개요
2. 인덕터 성질
3. 각종 인덕터
4. 인덕턴스값의 조정
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)
V1 (V)
V2 (V)
V3 (V)
5
0.35
1.15
3.52
10
0.72
2.26
7.01
15
1.08
3.43
10.62
6. 고 찰
키르히호프의 법칙을 이용하여 각종 직병렬회로의 저항값과 전류값을 알아볼 수 있었다.
실험1에서 한 노드의 전체 전류합이 0임을, 실험2에서 한 브랜치(branch)의 전체 전압의
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측정하여 그림 11-3 및 아래에 기록하라.
= 17.24 ㏀ (commercial value)
= 17.23 ㏀
= 3 ㏀ (commercial value)
2.948 ㏀
= 1.2 ㏀ (commercial value)
= 1.197 ㏀
= 300 Ω (commercial value)
= 294.6 Ω
b. 를 이용하여 그림 11-3의 회로에 대해 를 계산하라. 가장 가까운 상용치(실험
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실험을 하다 보면 오차가 항상 생기게 되기 마련이다. 위의 다른 이유들과 마찬가지로 도선의 유한한 conductivity, 부정확한 DC전원 공급, 저항이 가지고 있는 오차율, 다른 장비들의 전자기적 효과, 온도 습도 등에 의한 오차로 생각된다. ▶
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회로(클램프, 클리퍼)를 구성해 보고, 동작원리를 이해한다.
Diode를 응용한 회로(전파정류회로)를 구성해 보고, 동작원리를 이해한다.
실험결과분석 : 저항은 1KΩ를 사용하였으나, 직접 측정해본 값은 997.54Ω 이었다. Vs는 입력전
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각각의 회로에 대해서 변화율을 관찰해보았는데, 그것이 감소함을 눈으로 확인할 수 있었다. 그리고 그것을 통해서 β에 둔감한 회로가 어떤 것인지 또한 실험적으로 확인할 수 있었다.
실험 1에서 실험을 진행하면서 처음에 β값이 이상하
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회로도 깔끔한 결과를 얻을 수 있도록 한번에 성공하였다. 실험 중 가장 시간을 많이 소비했던 것은 달링턴 회로였는데 회로를 직접 만들었던 것이 제대로 작동하지 않아 결국 소자를 사용하였는데 그때 소비한 시간이 가장 아까운 시간이었
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순방향바이어스하기 위해 필요한 전압은 이제 두 실리콘 다이오드의 전압 강라에 의해 공급되어 두 실리콘 다이오드가 순방향 바이어스 된다.
출력 전압이 입력전압과 거의 같아 전압이득이 같다. 1. 실험 목적
2. 회로도
3. 결론
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