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대하여 조사하고 커패시턴스 C값에 영향을 미치는 요소를 열거하라.
(3) 실험절차 (1),(2)의 회로에 대하여 이론치를 계산하여 표14.1과 표14.2의 형식으로 구성하라.
(4) 실험절차 (5),(6)의 회로에 대하여 이론치를 계산하여 표14.3과 표14.4의 형
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은 가 단락 회로로 대체되고, 전압 전원 만이 있을
때보다 에 흐르는 전류가 (크다, 작다).
작다
4. 그림 6.1에서 회로의 해에 대한 중첩의 원리를 적용할 때 는 ____ 로 대체된다.
단락회로,
5. 그림 6.1의 회로에서 에 걸리는 전압은 _____V이다.
6.65
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병렬, 그리고 이들은 직렬로 연결됨 을 알 수 있으며, R4와 R3에 걸리는 전압을 구한 후, 그 차로써, 개방회로의 전압을 알 수 있다.
전압분배법칙을 이용하면,
VTH = VBD-VCD =
② RTH 를 구하기 위해, 전원 Turn off 후, 부하저항 R5을 개방, 개방된 단자
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전류는 공급된 전체 전류 로부터 나누어지는데,
각 소자로 흐르는 전류 는 , 이므로,
전체 전류 는 다음과 같다.
,
, 여기서 이 결과는 전류 훼이저도와 같음을 보여준다.
(3) 실험 (5)의 절차에서 : 개방, : 단락, : 단락시킨 상태에서 전류 는 각
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하고,
R1 = 45Ω R2 = 150Ω RL(부하) = 47Ω 이라 하자. 여기에서 노턴 등가 회로에서의 각 값을 구하여 보자.
① 은 부하저항 RL이 단락되었을때, 단자 F, G를 흐르는 전류이다. 중첩의 원리를 이용하여 구해보자.
1. 을 구하기 위해, 먼저 저항 RL을 단락
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주파수에 대한 , , 및 Z의 곡선을 그림 19.3과 같은 형태로 그려라. 없음
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범위에서 저항을 측정할 수 있다. 저항이 일 때 측정하면 브리지는 의 현재 값으로 평형이 될 수 없다. 브리지가 평형을 이루려면 ratio arms의 설정을 바꾸어야 한다.
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60
237.9406
6688.852
11960.2
7062.372
1.416
+ 80
257.9406
6170.217
12965.51
8262.324
1.21
+ 100
277.9406
5726.217
13970.82
9490.173
1.054
③ 계산된 값을 이용하여 주파수에 대한 Z, I의 그래프를 그림 17.3의 주파수 특성 곡선
과 같은 형태로 그려라. 없음
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전자전기공학실험 (홍순관외 3명, 홍릉과학출판사)
-전기전자공학기초 (안휘웅외, 원창출판사, 2002)
-Mechatronics를 위한 기초전기전자공학 (진상호, 복두출판사 1998)
-전자 실험 (최동선외 5명, 광명출판사, 1999) 1.실험 제목 :
2.실험 목적 :
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전기전기공학 실험실에서 매일 전기적 양을 측정하는 데 측정 기준으로 사용되는
표준기이다. 예로, 표준 저항기를 사용하는 휘트스톤 브리지로 미지 저항을 정확히 측정할 수 있다. 이
와 같이, 보통 실험실에서 볼 수 있는 표준 저항기, 표
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