|
즉 spike 형태의 파형이 된다.
Capacitor 양단의 전압 vC는 입력전압에서 vR을 뺀 것으로 이해할 수 있다. 특히 일 때 즉 일 때는, vC는 입력 구형파의 적분신호가 된다. 1. 실험 제목
2. 실험 목적
3. 실험 기구
4. 실험 방법
5. 관련 이론
|
|
|
브릿지들은 고장 원인이나 또는 미지의 저항을 측정할 수 있는 가장 유용한 회로라는 것을 간접적으로 나마 느끼고 알게 된 것 같아서 한편의 수확을 거둘 수 있었던 것 같다. 1. 목적
2. 이론 및 실험 방법
3. 결과
4. 고찰 및 검토
|
|
|
회로를 구성하게 되었다. 따라서 NOT gate와 AND gate에 의한 논리 값이 출력되게 되었다.
◈실험 종합
논리회로 실험을 위한 기본BASIC GATE에 대한 특성을 연구해 봤다. 각 GATE별로 BOOL공식과 출력 값을 비교해 보면서 이론과 현실의 관련성을 판단
|
|
|
회로의 역률 중요성과 역률 개선책에 대해 설명하라.
(4) 3상전원이 단상전원에 비해 유리한 특성을 정리하고 그 이유를 설명하라.
(5) <그림 22.5(a)>의 평행 Y 형 회로가 포함된 평형 3상 회로에서 선전압, 선전류, 상전압, 상전류, 평균전력,
|
|
|
회로의 양단에 연결된 어느 부하
저항에도 그 부하저항이 원래 회로의 양단에 연결된 것 같이 동일한 전류가 흐르고 동일한
전압이 걸린다. 이 말들은 키르히호프의 법칙과 같은 의미로 받아 들여 질수 있다. 실제로 실험
에서는 테브닌화 해
|
|
|
이론으로 배운것을 직접 실험을 통해 확인하는 시간이었습니다. 지난학기 전자회로 시간에 배웠던 다이오드는 순방향에서는 약 0.7V 의 전압이 걸리고 전류가 잘 흐르는 특징을 가지고 있었고, 역방향에서는 회로가 끊어진듯한 특징을 확인
|
|
|
실험에서는 회로에 걸리는 전류를 측정하는 실험이었는데 측정값의 평균은 이론값보다 0.01mA높은 평균0.51mA로 측정되었다. 오차는 2%로 크지않았다. 이 실험에서 측정범위를 mA가 아닌 A로 놓고 측정을 해보았더니 측정값이 3.597kΩ로 크게 차이
|
|
|
기록하시오.
0.997V
1.993V
3.004V
4.001V
4.999V
0.0010A
0.00199A
0.0030A
0.0040A
0.0050A
(3) (결과보고서 항목) 라 하자. 여기에서 와 는 (2)에서 측정하여 기록한 전압과 전류의 -번 1. 실험과정 및 실험결과
2. 실험결과 분석
3. 실험 결론
|
|
|
보고서에 언급하고, 만약 일치하지 않았으면 그 이유를 설명하시오(설계한 회로도를 보고서와 함께 제출하시오).
---> 에서 V = I x R 이므로
= 6 : 3: 2 이다. 실험목적
이론적 배경
예비 점검
시뮬레이션
실험 결과
실험 고찰
|
|
|
McGrow Hill
안영화 외3명, 전자공학으로의 초대
홍순관 외2명, PSpice와 함께 하는 기초 전자전기공학실험, 홍릉 출판사
이석목, 2003년 1학기 전자물리 강의 노트
기초 전자 회로 실험 실험 제목
실험 목적
실험 이론
실험 방법
회로도
|
|
메뉴펼치기
