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회로의 전기적인 특성인 시상수를 알 수 있었는데, 위의 결과 값을 보면 축전지의 값이 증가함에 따라 충전시간과 방전시간이 늘어남을 볼 수 있었다.
하지만 실험시 이론값과 실험값과의 오차가 상당히 크게 발생함을 볼 수 있었다. 우선 충
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회로 분석에만 그치는 것이 아니라 실제 설계할 때 도움이 될 CMRR이나 저항의 불균형 정도를 이해할 수 있었던 이번 실험은 이론적으로나 경험적으로 매우 중요한 실험이었다고 생각한다. 1. 사전 지식
2. 실험 절차
3. 문제
4. 분석 및 토
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이론값 =
=> 오차 =
3) Z
=> Z 기울기(평균) = 1135
=> Z 실험치 계산값(평균) = 1241
=> Z 이론값 =
4) 위상각
=> 위상각 실험치 계산값(평균) = 0.472
=> 위상각 이론값 =
=> 위상각 오차 =
B. RC 회로
전류(I)
(V)
(V)
(V)
(Ω)
위상각
실험값
이론
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이론에서는 노드들 중에는 입력노드와 출력노드가 존재하는데, 입력노드는 외부의 자극을 받아서 신경망 동작을 유발시키도록 하며, 출력노드는 신경망 회로에서 계산 처리된 결과를 표출시키도록 한다. 입력 노드가 위의 상황에서처럼 음
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이론
<R만의 회로>
순수한 저항(L=C=0)이 오른쪽과 같이 교류전원 (V = V0sin(ωt))에 연결될 때 V0sin(ωt)- IR = 0이므로 I = V/R = V0/R sin(ωt)이다. 즉, 전류는 옴의 법칙에 주어진 바와 같이 기전력(emf)에 비례해서 증가 또는 감소하는 것을 볼 수 있다
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회로에 연결한다.
B. 부하를 3단계로 가변하면서 전압, 전류, 전력을 측정하고 역률을 계산한다.
단상
전압
저항
전류
전력
역률
R1
R2
Rt
I1
I2
It
P1
P2
Pt
이론치
223.8
-
-
-
9.73
4.97
14.53
2177.54
1112.29
3251.81
1
실측치
223.8
23
45
15.4
9.09
4.71
13.34
1857
1018
2657
1
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회로를 꾸민다.
② 오실로스코프상의 출력 신호를 그린다.
③시정수를 측정하여 표에 기록한다.
RL 회로
시정수(sec)
비고
R
L
이론값
측정값
1㏀
10mH
시정수 (τ) = 이기 때문에 이 된다.
2.
① 위와 같은 회로를 꾸민다.
② 저항과 인덕터 양단에
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이론값)를 구하라.
[ⓐ-ⓑ점간 전압]
I[mA]
Z(=X)
(실험값)
(이론값)
9.618
0
1073.13
1.452uF
1.47uF
2) 캐패시터의 직렬연결
① 아래의 회로를 구성한다. 커패시터 C1, C2로 1uF 를 사용하고, Vs
로는 파형발생기를 사용하여 100Hz, 15Vp-p를 인가한다.
② a,b점간
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이론값이 매우 근접함을 알 수 있다.
스텝 2의 회로도는 위의 회로에서 저항기를 뗀 회로이다. 즉 다음과 같다.
저항이 없으므로 저항값은 0Ω이고 출력 전압은 6V이다.
I = V/R 식을 이용하면 R = 0이므로 I = ∞가 되는 것을 알 수 있다.
실제로도
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림2와 같은 회로를 구성한 후 두 개의 출력 X와 Y에 대한 이론값과 실제값을
비교 분석하여 표 3을 완성하여라.
【그림2】
【표3】
A
B
C
이론값
측정값
X
Y
X
X출력전압
Y
Y출력전압
0
0
0
0
0
0
0[V]
0
0[V]
0
0
1
0
0
0
0[V]
0
0[V]
0
1
0
0
0
0
0[V]
0
0[V]
0
1
1
1
1
1
4.
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