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실험결과
표 18-1 R-C 직렬회로의 전압, 전류의 이론값
k
오실로스코프
Si 다이오드 : 1N4001 , 1N4154
Ge 다이오드 : 1N34A
LED
●고 찰●
(1) 다이오드의 캐소드와 애놀드를 구별하는 방법에 대해서 기술하여라.
(2) 이 실험에서Si및 Ge다이오드의 문턱값
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직렬연결
VS
병렬연결
VD [V]
반응
VD [V]
반응
2.989
×
3
1.809
○
약 2V때 반응
5.52
○
약 5V때 반응
6
1.913
○
6.09
○
9
1.981
○
6.50
○
12
2.041
○
6.87
○
15
2.092
○
7.24
○
18
2.141
○
위의 실험결과는 회로에 적색, 녹색, 황색 LED를 각각 직렬과 병렬로 연결하
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직렬회로의 경우 등가저항에 걸리는 전압은 10V, 측정된 전류는 1mA이므로 I1=I2+I3+I4가 성립한다.
11-5 중첩의 원리
(1) 실험회로
□ 회로개요
2개의 SOURCE, 즉 전압원과 전류원을 구성하고 3개의 저항으로 구성된 회로에 있어 Vref의 전압을 중첩의
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커지고 주파수가 작아지면 커패시터의 리액턴스 값이 커져서 주파수에 따라 각각의 특성을 가지게 됩니다.
2.개요
- 실험 목적
(1)직렬 RLC회로에서 주파수 변화에 따른 임피던스와 전류의 변화를 살펴본다.
3.시뮬레이션 1. 개요
2. 내용
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실험, GS인터비전, 2010
김춘수, 이론치와 실험치를 빠르게 비교할 수 있는 RLC회로 실험개발, 한국교원대학교, 2006
정한빛 외 2명, 직렬 스피커 연결을 이용한 비상 대피 유도 시스템의 설계, 대한전자공학회, 2011
주현웅, 디바이스간 고속 직렬
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실험은 RLC 직렬회로에서 교류 임피던스 개념을 알고 직접 측정하는 것이었다. 회로이론 시간에 많이 했었지만 직접 측정하려고 하니 어려웠다. 특히 임피던스의 reactance 부분을 측정하는 것이 까다로웠다. 허수부가 측정이 되지 않아 다른 측
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)를 측정하고 기록한다.
(7) 옴의 법칙 Z = 의 식으로 임피던스 Z의 실험값을 구하여 기록한다.
(8) 교재 P.258의 [표 17-4]에 임피던스 Z의 이론값을 미리 제시하였다. 실험값과 이론값이 서로 같은지 확인한다.
3.3.8 실험 결과④ (17.4.4 RL 직렬회로의
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법칙
https://namu.wiki/w/%ED%82%A4%EB%A5%B4%ED%9E%88%ED%98%B8%ED%94%84%EC%9D%98%20%EB%B2%95%EC%B9%99
AND게이트
https://ko.wikipedia.org/wiki/%EB%85%BC%EB%A6%AC_%ED%9A%8C%EB%A1%9C
http://minhaep.tistory.com/35 제목
실험 목적
실험 장비
이론
출처
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직렬,병렬 연결
C1
C2
C3
VR(V)
I=VR/R(A)
VC(V)
XC=VC/I
C=1/2πfXC
직렬
100μF
200μF
400μF
0.29
0.029
0.1681
5.7959
55μF
병렬
100μF
200μF
400μF
0.47
0.047
0.0201
0.4277
745μF
2. 고찰
이번 실험은 교류회로의 소자들인 인덕터와 커패시터의 특성에 대해서 알아보는 실험
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실험은 오차값이 적게 나온 실험 이였다. 외부의 요인에서 오차를 발생 시킬 요인은 없지만, 회로와 전선에서 자체 저항을 가지고 있었지 때문에 발생한 오차로 보인다.
8.참고문헌
(1)http://user.chol.com/%7Ekimjh94/jungi/jungi_3/jungi3-3.html#(1) RL 직렬 회
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