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분광기를 제작 하였다. 이러한 공정은 전자빔 리소그래피(e-beam lithography)나 포토리소그래피(photo-lithography) 방식에 비해 시스템구성이 간단한 장점이 있다.
반응성 이온 식각공정을 위한 패턴 형상, 즉, 최저면에서 실리콘 웨이퍼의 면이 드러
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측정할 수 있는 장치가 필요하다.
우선, 첫 번째로 이동통신 단말기를 이용하여 정전기를 측정하고 제거하는 장치가 있다. 이 장치는 원하는 대상물과 접촉 단자에 인가되는 정전기를 측정하여 정전기의 발생 유무를 이동통신 단말기의 표시
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