|
실험의 회로를, Fig. 2에 EIS를 통해 분석한 그래프를 나타내었다.
≪ 그 래 프 ≫
Fig. 1 An equivalent circuit model
≪ 그 래 프 ≫
Fig. 2 EIS-Nyquist 부식속도 그래프
Fig. 1의 회로도에 나타나 듯 본 실험에서 측정되는 저항은 R_s와 R_p이다.
|
|
|
저항에 걸리는 전압과 파형을 측정한다.
<<그림>>
- 1 kΩ저항 2개를 사용했을 때
- 1 MΩ저항 2개를 사용했을 때
- 위 두 실험을 프로브 배율이 X1일 때와 X10일 때 두 가지 경우에 대해 해보고, 결과를 비교하시오.
6. 다음 회로에
|
|
|
위상차 확인
위와 같은 회로로 구성
저항과 인덕터로 구성된 회로에서 위상차는 저항과 인덕터의 리액턴스크기에 결정됨.
오실로스코프로 관측
저항 전압과 인덕터 전압은 만큼 위상차를 가짐. 결과값
계산과정
실험과정 사진
|
|
|
측정치이다.
(측정치) VRD = 0.8V
(측정치) IDQ = 0.8mA
g. IDQ의 측정치와 계산치를 비교하라.
2) 자기 바이어스회로
자기 바이어스회로에서 VGS의 크기는 드레인 전류 ID와 저원저항 RS의 곱에 의해 정의되어 진다.
회로의 바이어 1. 목적
2. 실험
|
|
|
실험 11에서 사용한 캐패시터, 인덕터의 정확한 값을 사용하여 계산하라.
■■ Q-인자가 1인 대역저지필터
▷ Ω
▶ 반력주파수
▷
▷
▷ B = 15920Hz
3.4 병렬공진회로를 그리고 전달함수를 측정하기 위한 연결상태와 측정방법을 기술하라.
▶ CH1
|
|
|
회로 동작 관점에서 왜 이 조건이 필요한지를 설명하면 된다.
☞ 정류할 때 필요한 전압이 2V라고 생각할 수 있다. 따라서 5V의 출력전압을 얻으려면 입력전압은 최소 7V가 되어야한다. 5.1 실험의 목적
5.4 사용기기 및 부품
5.5 실험 내용
|
|
|
저항 측정법) 1
실험 2 키르히호프의 전류 법칙과 전압 법칙 그리고 옴의 법칙 10
실험 3 저항기들의 직렬, 병렬, 그리고 직-병렬 접속 15
실험 4 전압-분배 및 전류-분배의 공식 20
실험 5 브리지 회로 24
실험 6 중첩의 원리
|
|
|
회로: R-L부하
2.2.1. schematic 및 설정
출력전류를 측정하기 위해 전류계를 추가하여 schematic을 작성하였습니다.
2.2.2. simulation 결과
2.3. 과제3-전파 위상제어 정류회로: RL부하(L이 커서 정전류원으로 가정)
2.3.1. schematic 및 설정
2.3.2. simulation 결과
2.
|
|
|
회로를 구성한다.
(2) 단자 A, B의 전압을 2V, 4V, 6V 로 변화시키면서 C, D에서의 전류를 측정한다.
(3) 그림 7-6처럼 회로를 바꾼다.
(4) 단자 C, D의 전압을 2V, 4V, 6V 로 변화시키면서 A, B에서의 전류를 측정한다. 1. 실험 목적
2. 실험 준비물
3. 기
|
|
|
versus constantan
④Chromel versus Alumel
⑤Tungsten/5%Rheniumversus Tungsten/26%Rhenium
⑥Tungstenversys Tungsten/26%Rhenium
⑦Platinum/13%Rhodiumversus Platinum
⑧Platinum/10%Rhodiu versus Platinum
3. 참고 문헌
기초기계공학실험 수업교재 1. 실험목적
2. 관련 이론
3. 참고 문헌
|
|
메뉴펼치기
