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대량의 기억 장소를 집적하기 어렵다(DRAM대비 ¼)
ROM
MASK ROM
PROM (Programmable ROM)
OTPROM(One Time PROM)
EPROM(Erasable PROM)
UV-EPROM(Ultra Violet EPROM)
EEPROM(Electrically EPROM) Introduction
Floating gate의 작동원리
NOR $ NAND type
SONOS
Flash Memory Application
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SONOS(Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon) 기술을 결합하여 세계에서 가장 작은 8nm급 3차원 차세대 비휘발성 플래시 메모리 소자를 개발하는데 성공하였다. 이번에 개발된 3차원 메모리 소자는 전자의 이동 통로인 실리콘 나노선 위에 산화막-질화막-산
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