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논문 1건

[논문] ReRAM & 비휘발성 메모리
Simple Binary Oxide Driven by Asymmetric Unipolar Voltage Pulses. in 2004 IEDM Tech. Dig., 2005 I. 서 론 1. 차세대 비휘발성 메모리 (non-volatile memory) 1-1. PoRAM (Polymer Random Access Memor) 1-2. PRAM (Phase change random assess memory) 1-3. MRAM (Magnetoresistive random access memory
ReRAM|비휘발성 메모리|memory|PRAM|PoRAM|MRAM|supper, ReRAM & 비휘발성 메모리,
  • 페이지 13페이지
  • 가격 2,000원
  • 발행일 2009.06.15
  • 파일종류 한글(hwp)
  • 발행기관
  • 저자
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