다이오드의 동작원리와 설명
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소개글

다이오드의 동작원리와 설명에 대한 보고서 자료입니다.

본문내용

※다이오드의 동작원리와 설명 정리
Diode란 뜻은 두 개라는 뜻의 "Di"와 전극이라는 뜻의 “Odd"를 합친 것입니다.
다이오드란 한 방향으로만 전류를 흐르게 하는 부품입니다. 이런 다이오드의 성질을 이용하여 교류를 직류로 변환하는 정류작용이나 방송 전파 내에 포함되어 있는 음성신호를 검파하는 데 이용하기도 합니다.
☆ 다이오드의 회로 기호
☆다이오드의 일반적인 특성
(+)방향은 순방향전압이고, (-)방향은 역방향전압입니다.
순방향으로 전압을 보내주면 다이오드가 작동하기 시작하는데, 작동상태가 되면 양단에 인가하는 전압을 더 올려도 실제로 다이오드 양단에 걸리는 전압은 큰 차이가 없게 됩니다. 대신 직렬로 연결된 다른 소자에 걸리는 전압이 올라가게 됩니다.
다시 말하면 순방향 전압강하 VF값이 거의 일정해 지게 됩니다. 이 값은 다이오드에 따라 보통 0.2~0.7V정도 되게 됩니다. 그리고 허용전류라는 것은 양단에 그 전압을 걸면 다이오드에 무조건 그 전류가 흐른다는 것이 아니고, 그 정도의 전류까지 흐를 수 있다는 것입니다.
다이오드에서 역방향이란 얼마나 전류를 잘 차단해주는가 하는 것이며, 역방향으로 다이오드 양단의 전압을 높이다보면 한계에 이르게 되는데 더 이상 전류를 차단하지 못하고 역방향으로 전류가 급격히 증가하게 되는데 이 현상을 제너현상 이라하고, 이때의 전압을 제너전압 또는 항복전압이라고 합니다. 그림에서의 VZ
☆ P형 반도체와 N형 반도체
P형 반도체는 순수 실리콘(Si)이나 게르마늄(Ge)에 극소량의 3가 원소 인디움(In)을 혼합하면 원자 대신 3가인 인디움 원자가 게르마늄과 공유결합을 하게 되는데 이때 인디움 원자는 4가인 게르마늄 원자보다 1개의 전자가 부족하게 됩니다. 그러므로 부족한 전자를 채우기 위해 주위에서 전자를 끌어당기는 흡인력을 나타내게 됩니다. 여기서 전가가 부족한 곳은 (-)전하를 가진 전자를 끌어들이려 하므로 마치 (+)전하가 있는 것과 같으나 실제로는 아무것도 없으므로 (+)전하의 성질을 띤 구멍이라는 뜻으로 정공(正孔:positive hole)이라고 합니다.
또한 N형 반도체는 역시 순수 실리콘이나 게르마늄에 5가 원사인 비소(As) 혹은 같은 5가원소인 안티몬(Sb)을 혼합하면 5가인 비소가 실리콘과 공유결합을 하게 되는데 비소가 가지고 있는 5개의 전자 중 4개는 4가 원소인 실리콘과의 결합에 사용하고 나머지 1개는 결합을 할 곳이 없어 남게 되므로 그 전자는 이동하기 쉬운 불안정한 상태로 남게 됩니다. 이를 자유전자 혹은 과잉전자라고 합니다.


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  • 페이지수6페이지
  • 등록일2006.09.25
  • 저작시기2006.9
  • 파일형식한글(hwp)
  • 자료번호#365159
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