고주파증폭회로

목차

1 목적

2 준비물

3 이론

4 시뮬레이션

본문내용

난 정리를 적용해야 한다. 베이스 용량에 대한 테브난 저항은 다음과 같다.
콜렉터 바이패스 회로에서는 R = rc , C= Cc + Cstray 가 된다.
중간 주파수 이상에서는 두 개의 차단 주파수가 있는데 하나는 베이스 바이패스 회로의 차단 주파수이고, 또 다른 주파수는 콜렉터 바이패스 주파수이다. 이 둘을 지배적인 차단 주파수라 부른다. 중간 주파수를 얻기 위해 저주파에서는 10을 곱하여 중간 주파수의 주파수를 구했으나 이번에는 곱하지 않고 오히려 10으로 나누어서 중간 주파수의 주파수를 구한다.
(a)
(b)
(c)
그림 7-2 공통 이미터 고주파 증폭기 등가회로
공통 이미터 고주파 등가회로에서 Ce 에 대한 규격의 명칭은 없다. 고주파 해석에 측정할 때마다 값이 다르므로 자료상으로는 주어지지 않는다. 대신 전류 이득 대역폭 즉, fT 라 부르는 값을 제시한다. 트랜지스터의 전류이득이 1이 될 때 Ce 은 다음과 같이 구할 수 있다.
그리고 Ce와 유사하게 내부저항 rb 가 있다. 이 저항은 콜렉터 전류, 교류 전류 이득 등에 의해 변화한다. 트랜지스터를 보다 높은 주파수에서 증폭하려면 rb 의 값이 적은 것이 요구된다. 이 값에 의해 rb 를 계산한다.
여기서 rb 를 h 파라미터를 사용하여 다음과 같이 구할 수 있다.
즉, rb 는 다음과 같이 표현된다.
P S P I C E
고주파 증폭회로도
회로도는 저주파 증폭 회로때와 구성이 동일하며 소자의 값만 약간 달랐다.
저주파 증폭회로 시뮬레이션 결과 ( Voltage - Frequency Characteristic )
저주파 증폭회로 시뮬레이션 결과 ( Voltage phasor - Frequency Characteristic )
고주파 증폭회로의 시뮬레이션 결과이다.
이번엔 고주파증폭회로인데 로우패스필터의 주파수특성과 비슷한 주파수 특성이 나왔다 아무래도 실험책의 저주파와 고주파 회로도가 서로 바뀐듯하다. 어쨌든 시뮬레이션 결과 3dB-frequency 는 약 56kHz 정도가 나왔다.
Voltage phasor에 대한 주파수 특성은 아래의 그림과 같이 나왔다.
수업시간에 그려본 Bode-Plot 과는 약간 차이가 있지만 거의 비슷한 모습을 하고있다.
시뮬레이션 구간이 1kHz에서 2000kHz로 제한된 관계로 처음과 끝의 차는 약 108도의 차이만 있다
3dB - frequency 에서는 약 -225도가 측정되었다.

키워드

고주파증폭기,   베이스 바이패스 회로,   시뮬레이션