본문내용
, In(인듐), Ga(갈륨), Al(알루미늄)
N형 반도체를 만드는 불순물(도너)로 4가의 원소에 5가 원소를 첨가
- 5가 원소 : As(비소), P(인), Sb(안티몬)
15. BJT와 FET 비교
FET
BJT
낮은 전압이득
높은 전류이득
고입출력 임피던스
노이즈 적음
스위칭속도 빠름
전압제어 용
높은전압이득
낮은전류이득
낮은입출력임피던스
노이즈중간
속도중간
전류제어용
16. A급 증폭기 : 전파(저주파용)
B급 증폭기 : 반파(크로스오버왜곡)
C급 증폭기 : 반파이하(고주파용)
- TR의 증폭기 동작영역 : 활성영역
17. 부궤한 증폭기 특성
- 증폭기의 이득이 감소한다.
- 비선형 일그러짐이 감소(출력단자의
잡음이 감소)
- 주파수 특성 개선
- 입력임피던스 증가, 출력임피 감소
- 부하변동, 전압변동에 증폭도 안정
18.
19. R-L-C 합성입피던스
유도리액턴스 :
용량리액턴스 :
20.
1. 고정 바이어스
- 안정계수(S) :
- 바이어스 회로의 안정화 정도로 S가 작을수록 안정도가 좋다.
2. TR 증폭회로의 증폭도
3. 이상적인 연산 증폭기의 특성
1) 미분회로
2) 적분회로
3) 리미터회로
4) 클리퍼회로
5) 클램핑회로
N형 반도체를 만드는 불순물(도너)로 4가의 원소에 5가 원소를 첨가
- 5가 원소 : As(비소), P(인), Sb(안티몬)
15. BJT와 FET 비교
FET
BJT
낮은 전압이득
높은 전류이득
고입출력 임피던스
노이즈 적음
스위칭속도 빠름
전압제어 용
높은전압이득
낮은전류이득
낮은입출력임피던스
노이즈중간
속도중간
전류제어용
16. A급 증폭기 : 전파(저주파용)
B급 증폭기 : 반파(크로스오버왜곡)
C급 증폭기 : 반파이하(고주파용)
- TR의 증폭기 동작영역 : 활성영역
17. 부궤한 증폭기 특성
- 증폭기의 이득이 감소한다.
- 비선형 일그러짐이 감소(출력단자의
잡음이 감소)
- 주파수 특성 개선
- 입력임피던스 증가, 출력임피 감소
- 부하변동, 전압변동에 증폭도 안정
18.
19. R-L-C 합성입피던스
유도리액턴스 :
용량리액턴스 :
20.
1. 고정 바이어스
- 안정계수(S) :
- 바이어스 회로의 안정화 정도로 S가 작을수록 안정도가 좋다.
2. TR 증폭회로의 증폭도
3. 이상적인 연산 증폭기의 특성
1) 미분회로
2) 적분회로
3) 리미터회로
4) 클리퍼회로
5) 클램핑회로
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