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본문내용
있다. 이와 같이 좋은 물질적 특성을 갖는 GaN는 MOCVD를 이용한 에피성장시 성장변수와 비평면 기판의 기하학적 특성을 조절하는 것에 의해 {1101} 면으로 구성되는 pyramid 형상의 날카로운 모양으로 성장이 가능하므로, 식각공정과 같은 후속공정없이 에피성장 만으로도 날카로운 tip 형태를 성장할 수 있으므로 이 분야에 크게 활용될 수 있다
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- 등록일2004.11.24
- 저작시기2004.11
- 파일형식한글(hwp)
- 자료번호#274983
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