MOS 전계효과 트랜지스터

소개글

MOS 전계효과 트랜지스터에 대한 보고서 자료입니다.

목차

1. 구조와 원리
2. MOS 정전용량-전압 분석
3. 증가형과 공핍형
4. 단채널 효과

본문내용

드레인 전류에 영향을 준다. 전계가 더욱 증가하면 드레인 부근에서 캐리어의 증배가 일어나 기판에 전류가 흘려서 그림에 나타낸 것 같은 기생의 바이폴라 트랜지스터의 동작이 일어나도록 되어 전열 파괴 전압이 변화한다. 또 이 고전계는 핫 캐리어를 절연물 중으로 주입시켜 문턱 전압을 이동하는 외에 상호 콘닥턴스를 저하시키게 된다.
단채널 효과는 바람직하지 않으므로 크기 및 전압을 작게 해서 내부 전계를 등가적으로 일반의 MOS 트랜지스터와 같도록 하여 단채널 효과를 피할 수 있다.
5. 참조
반도체 공학, 일진사, 허규성, 2003
Solid State Electronic Device, Prentice Hall, Inc, Ben G. Streetman And
Sanjay Banerjee, 2000

키워드

모스펫,   트랜지스터,   구조와 원리,   MOS 정전용량,   공핍형,   증가형,   전계효과,   MOSFET