트랜지스터의 형, 단자, 재료에 대한 결정방법을 실험

소개글

트랜지스터의 형, 단자, 재료에 대한 결정방법을 실험에 대한 보고서 자료입니다.

목차

1. 트랜지스터 형, 단자, 재료 결정 절차

2. 트랜지스터 실험1 결과 1

3. 트랜지스터 실험2 결과 2

4. 트랜지스터 실험3 결과 3

5. 트랜지스터 실험4 결과 4

본문내용

트랜지스터의 형 단자 재료결정 절차
• a - 단자 확인 표시가 없는 트랜지스터의 단자에 임의로 1, 2, 3을 붙여라.
• b – 멀티미터의 선택스위치를 다이오드 표시 스케일에 맞추어라.(또는 만일 다이오드 스케일이 없다면 가장 높은 저항 레인지(range)에 마추어라.
• c – 미터의 (+)리드를 단자 1에 그리고 (-)리드를 단자 2에 접촉시켜라. 저항 측정치를 기록하여라
• d – 리드를 반대로 하고 측정치를 기록하여라.
• e – (+)리드를 단자 1에 그리고 (-)리드를 단자 3에 접촉시키고 저항값을 기록하여라.
• f – 리드를 반대로 하고 저항값을 측정하여라
• g – (+)리드를 단자 2에 그리고 (-)리드를 단자 3에 접촉시키고 저항값을 측정하여 기록하여라.
• h – 리드를 반대로 하고 저항값을 측정하여 기록하여라.
• i – 단자중 둘 사이에 미터의 지시치가 접촉된 미터 리드의 극성에 관계없이 높은 저항 값을 가리키면 이들 두 단자중 어느 단자도 베이스(base)가 아니다. 이로부터 베이스 단자를 결정하여 기록하여라.
• j – (-)리드를 베이스 단자에 그리고 (+)리드를 다른 단자중 어느 한 단자에 접촉시켜라. 만일 미터가 낮은 값을 가리키면 이 트랜지스터는 PNP형이다. : (k1)단계로 넘어가고, 만일 높은 값을 가리키면 이 트랜지스터는 NPN형이다. : (k2)단계로 넘어 가라.
* 주의 : 멀티미터 제품에 따라서는 저항계로 사용할 때 내부전지의 극성이 리드의 극성과 반대로 되어 있는 것이 있으므로 자신의 멀티미터를 확인하여 부품 판독 시험시 착오가 없도록 할것
• (k1) – PNP형에 대해서는, (-)리드를 베이스 단자에 그리고 (+)리드를 다른 두 단자중 어느 한 단자에 교대로 접촉시킨다. 즉 베이스-컬렉터 간, 베이스-이미터 간의 순방향 저항을 측정하여 더 낮은 값을 갖는 쪽이 베이스-컬렉터간이다. 만일 두 경우의 순방향 저항의 크기가 구별이 되지 않을 때는 역방향 저항을 측정한다. 이때 저항계의 최고 저항레이지에서 내부 전지의 전압이 9V 또는 그 이상이면 이미터-베이스 간의 역방향 저항 측정시 제너(zener) 항복이 일어나 낮은 저항 값을 가리킨다. 그러나 컬렉터-베이스간의 역방향 저항 측정시는 거의 무한대의 저항값을 가리킨다. 그 이유는 일반 트랜지스터의 항복 전압이 VCBO=60V, VEBO = 6.0V 이기 때문이다. 컬렉터와 이미터 단자를 결정하여 기록하여라.
• (k2) – NPN형에 대해서는 (k1)단계에서 같이 베이스-컬렉터간, 베이스-이미터간의 순방향 저항 또는 역방향 저항 시험을 통하여 컬렉터나 이미터 단자를 결정하여 기록하여라.
• l – 위의 베이스-컬렉터, 베이스-이미터 간의 순방향 저항 시험에서 약 0.7V를 가리키면 이 트랜지스터의 재료는 실리콘(Si)이고, 약 0.3V이면 게르마늄(Ge)이다. 만일 이미터가 다이오드 시험눈금이 없다면 반도체 재료를 바로 결정할 수 없다.

키워드

트랜지스터,   형,   단자,   재료,   결정,   실험