직렬, 병렬 다이오드

소개글

직렬, 병렬 다이오드에 대한 보고서 자료입니다.

목차

- 문턱전압이란?
- 전압강하란?
- 다이오드의 직렬구성
- AND게이트
- 정논리란?
- 브릿지 회로란?

본문내용

실험목적
- 직렬 및 병렬로 구성된 다이오드 회로의 해석 능력을 개발한다.
이론개요
- 문턱전압이란?
- 전압강하란?
- 다이오드의 직렬구성
- AND게이트
- 정논리란?
- 브릿지 회로란?
* 문턱전압 이란?
P형 반도체는 +, 즉 정공이 많은 반도체이지만, 물체의 극성으로 따지자면, 중성이다. 한마디로 내부 분자결합구조가 전자가 결합되기 쉬운 상태이다.
N형 반도체는 -, 즉 전자가 많은 반도체이다. 물체의 극성으로 따지자면, 이 역시도 중성이다. 한마디로 내부 분자결합 구조가 전자가 탈출하기 쉬운 상태이다.
접합다이오드의 접합 부분에 p형 반도체에는 -형이, n형 반도체에는 +형의 성분이 생겨, p형 반도체에서 빠지기 쉬운 전자가 이 접합 부분을 통과하지 못하게 된다.
이 부분을 공핍 영역이라 하는데, 여기에 생긴 전위차를 문턱전압이라고 한다.
* 전압강하
전기회로를 간단히 그리면 왼쪽의 회로와 같은데 회로에 전류가 흘러 저항을 통과하면 저항에는 옴의 법칙에 따라 전압이 생긴다. 이때, 저항에 생기는 전압을 전압강하라 한다. 저항에 생기는 전압은 V=I R[V]로 구한다.
* 다이오드의 직렬구성
(가) 이상적인 다이오드를 생각할 경우
- D의 저항값 : 0[Ω] → VD=0[V]
- ID=E/R → VR=E[V]
(나) 실제의 특성을 고려할 경우
E=VD+VR=VD+RID
ID=-VD/R+E/R(VD=0→ID=E/R, ID=0→VD=E)
동작점→VD, ID
(다) 이상적인 다이오드와의 차이
- VD의 차는 대략 0.6∼0.9[V]정도
- ID의 차는 E가 크면 작다.
* AND 게이트
AND 게이트는 입력신호의 곱을 출력합니다. 한개라도 0이 입력되면 0을 출력한다．모든 입력이 1일때만 1을 출력하는데, 이것을 논리곱 이라한다.
① 논리식 : F=A•B 또는 F=A∩B
② 진리표
③ 논리동작 : A가 1이고, B가 1일 때에만 F는 1이다.

키워드

직렬다이오드,   병렬다이오드,   브릿지회로,   문턱전압,   AND게이트