D램산업(플래시메모리)과 전망

목차

1. ROM과 RAM의 구분

2. RAM의 특징

3. RAM의 종류와 원리

4. 플래시메모리[flash memory]의 종류와 용량

5. 플래시메모리의 현재와 전망

본문내용

메모리 카드를 완전히 삽입하여 AIOS를 카드리더 겸용 이동식 저장장치로 사용할 수 있다.
- Secure Digital (SD)/Multi Media Card (MMC) reader 기능: 디카 등의 SD/MMC 메모리 카드를 완전히 삽입하여 AIOS를 카드리더 겸용 이동식 저장장치로 사용할수 있다.
- Memory Stick (MS)/Memory Stick Pro (MS Pro) reader 기능: Ms/MS Pro 메모리 카드에 담긴 정보를 고속으로 전송하는 카드리더 겸용 이동식 저장장치이다.
- Compact Flash (CF)I/II, Micro Drive reader 기능:고용량의 Micro Drive 나 CF 메모리 카드를 지원하여 동영상이나 이미지 파일 등의 용량이 큰 파일을 고속으로 전송하는 카드리더 겸용 이동식 저장장치이다.
※ 참고: 플로피디스크나 하드디스크와 같은 장치 역시 정보를 저장하거나 검색할 수 있지만 이들은 메모리와 다르게 저장 장치(Storage device)로 분류한다.
5. 플래시 메모리의 현재와 전망
출장이 잦은 직장인이나 대학생들에게 플래시메모리가 인기를 끌고 있다. 요즘 대학생들은 휴대전화 대신 플래시메모리를 목에 걸고 다닐 정도이다. 플래시메모리를 컴퓨터에 연결해 플래시메모리에 저장된 각종 서류파일이나 파워포인트, 동영상 파일까지 불러내 모든 작업을 한다. 플래시메모리가 기존의 플로피디스크를 제치고 컴퓨터 사용자의 습관까지 바꿀 정도로 사랑을 받는 것은 늘어난 저장용량과 저렴해진 가격 덕분이다. 보통 플로피디스크의 저장용량은 1.4MB로 사진 한 장을 담을 수 있다. 그러나 요즘 일반적으로 쓰이는 256MB 플래시메모리는 플로피디스크 용량의 200배가 넘는다. 30분짜리 동영상의 용량이 100MB, 파워포인트 파일 하나가 4MB 정도이다. 요즘에는 512MB 플래시메모리를 찾는 사람이 늘고 있으며 GB급 메모리도 나와 있다. 플로피디스크가 서류 몇 장을 들고 다닐 수 있는 저장장치라면 플래시메모리는 서류가방 몇 개, 사진첩, 음악파일, 영화 한 편을 통째로 들고 다닐 수 있는 장치에 비유할 수 있다.
이 때문에 집, 학교, 도서관, PC방 등 여러 곳에서 컴퓨터 작업을 하는 대학생들에게 플래시메모리는 없어서는 안 될 품목이 됐다. 또한 플래시메모리는 인증키(전자서명 파일)를 보관할 수 있어 편리하다. 플래시메모리에 인증키를 저장해두면 해외에서도 회사 전산망이나 은행 증권 등 금융 사이트에 접속해 각종 금융거래를 할 수 있다. 더욱 편리한 기능을 가진 플래시메모리도 속속 나오고 있다. 한글과컴퓨터는 플래시메모리 안에 ‘한글’ 프로그램을 담아 컴퓨터에 프로그램을 설치하지 않고도 쓸 수 있는 ‘다큐맨(256MB)’을 판매하고 있다. 본인 외에는 플래시메모리에 담긴 문서를 볼 수 없도록 보안기능을 강화한 제품도 등장했다. 플래시메모리에 저장된 음악파일을 들을 수 있는 카 오디오, 플래시메모리를 연결해 사진을 인화하는 디지털 인화기 등 플래시메모리를 활용하는 정보기기도 급증하고 있다. 이런 편리함 때문에 일부 기업들은 플래시메모리를 대량으로 구입해 직원들에게 나누어 주고 있다. 선물용으로도 인기가 높은 편이다.
『 초슬림폰만큼 얇은 노트북 나온다 』
인텔이 세계에서 가장 얇은 두께의 노트북 프로토타입을 선보였다.
우선 하드디스크 대신 플래시메모리를 사용해 노트북 두께와 무게를 확 줄였다. 면도날처럼 얇다고 해 이름을 붙인 레이저 휴대폰보다 4분의 1인치 두꺼운 정도다. 배터리 수명도 14시간으로 업계에서 혁신적이라는 평가를 받고 있다.
무게 1.02kg
두께 0.7인치
『 세계최초 테라비트급 8나노미터 플래시 메모리 개발
가장작은 소자로서 반도체소자 기술의 한계극복 쾌거 』
-세계에서 가장 작은 소자로서 현재 반도체소자 기술의 한계를 극복한 테라비트급 플래시메모리개발에 성공
한국과학기술원 전자전산학과 최양규 교수팀과 나노종합팹센터(소장 이희철)는 공동연구를 통하여 실리콘 나노선(silicon nanowire)과 SONOS(Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon) 기술을 결합하여 세계에서 가장 작은 8nm급 3차원 차세대 비휘발성 플래시 메모리 소자를 개발하는데 성공하였다. 이번에 개발된 3차원 메모리 소자는 전자의 이동 통로인 실리콘 나노선 위에 산화막-질화막-산화막(Oxide-Nitride-Oxide, ONO)을 차례로 쌓아 올리고 이렇게 형성된 게이트 절연막(ONO)과 실리콘 나노선을 게이트가 3차원적으로 감싸고 있는 새로운 형태의 비휘발성 메모리 구조이다. 핵심 기술인 전자선을 이용한 초미세 나노선과 우수한 게이트 절연막 형성 기술은 과학기술부에서 지원하여 구축된 세계 최고 수준의 나노종합팹센터 장비와 기술진들의 도움으로 개발되었다. 8nm 반도체 기술은 성인 머리카락 두께의 1만2천분의 1에 해당되는 기술이다. 개발된 메모리 소자는 실리콘 나노선 위에 기존의 전하 저장층인 도체형 부유게이트(Floating Gate) 대신, 전하 저장장소(트랩, Trap)를 많이 갖고 있는 부도체형의 질화막에 전하를 저장시키는 SONOS(Silicon gate-Oxide -Nitride-Oxide-Silicon channel) 구조를 결합시킨 것이다. 또한 부도체인 질화막에 전하를 저장함에 따라 인접한 메모리 소자간의 정보 간섭을 줄일 수 있는 장점이 있다. 이번 성과는 기존의 비휘발성 메모리 기술의 한계를 일보 진전시킨 의미 있는 연구 결과로‘황의 법칙(메모리의 집적도가 1년에 2배씩 증가)’이 10nm급 이하까지 유지될 수 있다는 가능성을 제시했으며, 오는 6월 12일 일본 교토에서 개막되는 국제 학술회의인“초고집적회로 국제학회(Symposium on VLSI Technology)”에서 발표될 예정이다.
플래시 메모리의 발전이 기존 메모리의 용량과 속도를 수십배를 앞서가고 있다. 플래시 메모리의 발전과 함께 그에 상응하는 다른 하드웨어의 개발이 함께해야 할 것이며, 플래시 메모리의 발전으로 현재의 컴퓨터도 많은 변화를 일으킬 것으로 생각된다. 과학의 발전과 함께 플래시 메모리의 발전은 지속될 것으로 생각된다.

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메모리,   D램,   플래시