MOSFET 최종 보고서

본문내용

이해한다. 또한, I-V, C-V 특성을 이용하여 Transistor parameters(Tox, NB 등)를 수학적으로 계산할 수 있는 능력을 배양한다.
Experimental Methods
Silicon wafer
N-type 두께 525 지름 4inch
산화막 두께 3000Å

spin 코팅
500rpm 10초(고루 퍼지게 하는 역할)
3000rpm 30초(두께 조절 역할)
PR 1um로 조절!

Soft Baking 60℃ 10분

Aligner 노광 15초 동안 UV

Developer 1분 (+ DI Water and N2 Blowing)
Pettern 부분의 PR날아감(Positive)

Hard Baking 120℃ 10분

Film으로 뒷판 산화막 보호(절연체 역할을 하게끔 하도록)
PR 이 보호 마스크 역할을 한다.

여기서부터 Boron doping
Doping 과정 : 약 7~8시간 소요
HF 표면 Cleaning

Boron Source 활성화
Furnace에서 1100℃ 2~3시간

시편 Doping

시편 찌꺼기 Cleaning

900℃ Doping

02투입 ∴실리콘 내에서 Boron 확산
현재까지 진행 결과 사진
Gate Oxide 교체 과정
PR 도포 + Soft Bake 10분

Aligner 노광 15초 동안 UV :이 과정에서 Body로 사용할 부분도 노광!

Developer 1분 (+ DI Water and N2 Blowing)
Pettern 부분의 PR날아감(Positive)

뒷면 Taping 불필요

HF로 Etching

Soft Bake

아세톤 메탄올 DI Wate

Dry Oxidation :　SiO2 입혀주기

포토리스그라피 반복

PR 도포

Soft Baking 10분

노광 :　Align Key 사용하여 정확한 위치

Develop DI water

Hard Baking 10분

뒷면 Taping
금속(Al 1500Å) 올리기 과정

Evaporator 진공 10^-6까지 30~40분 소요

PR 도포

Soft Baking 10분

노광 Aligner

Developer 금속 올릴 부분을 제외한 부분의 PR 날아감

DI Water　 Hard Baking 10분

Al Etching

아세톤 (PR 날아감)
Results and Suggestion
Conclusion
사진과 데이터 포함
설계의 잘못된 점을 찾고 새로운 소자설계

키워드

MOSFET,   집적회로,   반도체공학,   반도체,   디지털신호