(실험보고서) MOSFET 전압 전류 특성 실험 및 시뮬레이션

소개글

(실험보고서) MOSFET 전압 전류 특성 실험 및 시뮬레이션에 대한 보고서 자료입니다.

목차

1. 목적

2. 이론

3. MOSFET 전압-전류 특성 P-spice 시뮬레이션 수행 결과

4. 시뮬레이션 결과

본문내용

ource사이에 흐르는 전류를 조절하게 된다.
MOSFET과 BJT의 큰 차이점은 BJT의 Base에는 전류가 흐르는 반면에 MOSFET의 Gate에는 전류가 흐르지 않는다는 것이다. MOSFET는 기본적으로 Capacitor 원리를 이용한다고 생각하면 된다. [그림 6-1]과 같은 Capacitor가 있다고 가정하면 이 Capacitor의 Capacitance는 아래 식과 같이 표현되고 단위 면적 당 Capacitance, C’과 면적의 곱으로도 표현된다. 이와 같은 Capacitor에 전압 V를 가하면 Capacitor의 + 전극에는 +Q, - 전극에는 Q만큼의 전하가 모인다는 것은 잘 알고 있을 것이다. 이런 원리를 이용하는 것이 MOSFET이라고 생각하면 된다.
FET와 BJT의 비교
FET와 BJT의 장단점
- 장점
①동작은 다수 캐리어만의 이동에 의존하므로 단극성소자 (unipolar device)이다.
② 접합 트랜지스터에 비해서 큰 입력 임피던스를 가지고 있으므로 전압증폭소자에 적합하다.
③ 잡음특성이 양호하여 소신호를 취급하기 좋다.
④ 제조과정이 간단하고 집적회로에서 차지하는 공간이 적어서 집적도를 아주 높게 할 수 있다.
-단점
① 접합 트랜지스터에 비해서 동작속도가 느리다
② 고주파 특성이 나쁘다
3. MOSFET 전압-전류 특성 P-spice 시뮬레이션 수행 결과
회로도 )
Vgd 값 0.5에서 0.5v씩 증가, 5v까지 측정 )
4. 시뮬레이션 결과
y축 하단서부터 Vgs값이 0.5, 1.0, 1.5, 2.0, 2.5, 3.0, 3.5, 4.0, 4.5, 5.0v값을 지닌다.

키워드

MOSFET,   MOSFET동작원리,   MOSFET구조,   MOS트랜지스터,   전자회로 실험,   기초전자 실험,   기초전기 실험,   BJT