전착 공정을 이용한 박막의 제조 및 특성 분석

소개글

전착 공정을 이용한 박막의 제조 및 특성 분석에 대한 보고서 자료입니다.

목차

1. 전착(electrodeposition)의 원리와 다른 증착 방법들과 비교 하였을 때의 장단점은 무엇인가?

2. 금속 나노선을 전착하기 위해 본 실험에서 사용하는 AAO(Anodized Aluminium Oxide)는 무엇이며, 어떠한 특징을 가지고 있는가?

3. 나노선의 응용분야에 대해 조사하시오.

본문내용

대해 조사하시오.
Spintronics : 최근 이 분야가 커다란 관심을 불러일으키며 활발히 연구 개발되는 이유는 다가오는 정보화시대에 1 Tb/cm2 초고밀도/대용량 자기 및 광자기 기록매체, 1 Gb/s data rate 고감도 자기기록헤드 등 첨단 정보저장 소재로 활용될 뿐 아니라, 현재의 Si 반도체에 기초한 electronic devices의 속도 및 집적도의 한계를 훨씬 능가하는 MRAM(Magnetic Random Access Memory), 스핀트랜지스터 등 소위 스핀트로닉스(Spintronics)라는 새로운 기술혁명을 가져오며, 나아가 다가오는 나노기술시대에 나노머신 및 나노소자의 핵심물질로 이용될 가능성이 높기 때문이다.
전자스핀의 정보는 매우 긴 거리(~100μm)까지 유지되고 저온에서 약 100ns정도의 스핀이완 시간을 갖는 것으로 밝혀져 하이브리드 소자 및 양자 컴퓨터 응용 가능성에 대해 논의되고 있다. 통상 전자와 같은 미세 기본입자에서 관찰되는 양자투과효과가 102­106 스핀자구와 같은 거대시스템에서도 존재하는가의 질문은 나노자성정보매체의 정보저장 수명의 이론적 한계를 밝혀주는 중요한 문제이다. 스핀반전에서 보여주는 거시적 양자투과효과에 관한 연구는 Weil[58]에 의해 저온에서 Ni 입자의 자기 완화 율이 사라지지 않는 실험적 결과에 대해 Bean과 Livingston이 양자 투과 효과에 대한 가능성을 이론적으로 해석하면서 Ziljstra 그룹을 위시한 몇 그룹에서 실험적 연구를 시작하게 되었다. 현재 CNRS Neel 연구소의 Barbara 그룹[59], Barcelona 대학의 Tejada그룹[60] 등이 15­30nm 크기의 나노자성체 및 수십 nm 직경의 나노선 시스템에서 스핀역전과정에서 고전적 열 활성화과정(Thermal activation process)에 의한 기여와 양자역학적 투과현상의 존재여부에 관심을 두고 실험연구를 진행하고 있다. Hall effect device와 Spin injection ferromagnetic/semiconductor device등의 연구가 현재 진행되고 있다. 스핀 전자 재료의 기본 구조는 강자성체(ferromagnetic, FM)/사이층(spacer)/강자성체(FM)로 이루어진 접합 구조로서 사이 층에 Cu와 같은 도체, Al2O3과 같은 부도체, Si, GaAs, InAs등의 반도체, Nb, 고온 초전도체 등이 쓰이게 된다.

키워드

전착,   electrodeposition,   나노선,   AAO,   박막