[전자회로실험] BJT 특성, 고정바이어스 전압분배기 바이어스 결과

목차

1. 실험 결과 데이터
BJT특성
1)트랜지스터 형태 단자 재료의 결정
2)컬랙터 특성 표8.3
3) α 와 β 의 변화
고정바이어스 전압분배기 바이어스
1) β의 결정
2)고정바이어스회로
3)전압분배기 바이어스회로

2. 실험 결과 및 검토

본문내용

에서 특정 방향으로만 결과가 나왔다는 것을 보고 알 수 있으며 베이스 단자와 이미터 단자사이의 다이오드의 천이전압이 높은 것으로 봐서 도핑농도가 이미터쪽 N형 반도체가 높은 것으로 결론 지을 수 있다.
두번째는 컬렉터 특성을 살펴보는 실험이다. Ib가 10uA일 때는 이미 active region에서 동작을 하다가 8V지점에서 급격히 높아지는 것으로 봐서 breakdown region인 것을 볼 수 있다.
Ib가 20uA일 때는 saturation region에서 active region으로 이동하는 것이 보이며 그렇기 때문에 여기서에 베타의 최소값이 나타나는 것이다.
Ib가 30uA일때는 saturation region만 보이는데 실험의 여건상 제대로 Ib에 따른 각 region 별 콜렉터 특성을 살펴보고 비교할 수 없어서 아쉽다.
고정바이어스 실험과 전압분배기 바이어스 실험에서는 단순히 회로만 꾸며보고 그 특성을 살펴보았을 뿐 거기에 따른 트랜지스터별로 비교하거나 이런 실험을 하지 못하여서 크게 의미를 찾지 못하겠다. 단순히 살펴보자면 이렇게 꾸미면 특정 베타값을 만들어주어서 원하는 동작점에서 증폭특성을 이끌어 낼 수 있다는 정도로 볼 수 있다.

키워드

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