n,p형반도체와 재너다이오드 그리고 리소그래피기술 (lithography)

목차

1.PN접합다이오드개요
　　　　 　　　　　　　　　　　
2.반도체
　　　 　　　　　　　　　　　　
3.N형 반도체와 P형 반도체

4.다이오드의 특성 곡선

5.제너다이오드에 의한 전압안정화

6.lithography기술

본문내용

제거되고 substrate 위에 deposition된 film 만이 남게 되는 것이다.
CF) Pattern plating : thin film HIC 등과 같이 film을 비교적 두껍게 올려야 하는 경우 주로 사용하는 patterning 방식이다. 보통의 경우 deposition(thin&thick) a photolithography a etching의 순으로 patterning을 하는데 반해 pattern plating은 seed layer deposition(thin) a photolithography a deposition(plating) a etching의 순으로 공정이 진행된다. 이 공정의 장점은 오직 seed layer 만을 etching하면 되기 때문에 etching에 의한 pattern 공차가 작고 line의 sharpness가 높다는 점이다.
-그 밖의 리소그래피 종류
1.Eletron Beam Lithography (전자빔리소그라피)
E-beamLithograph는 반도체 웨이퍼 위에 전자에 예민한 성질을 가지고 있는 레지스트 (resist)를 얇게 바른 후, 원하는 패턴을 마스크 없이 직접 전자빔를 가하여 그림을 그리거나 글씨를 쓰는 것과 같은 방법으로 회로를 구성한다. 전자빔 리소그라피는 미세 구조 시대의 감광막 형상, 크게 자동화 되고 정밀하게 제어되는 동작, 광학 노광이 가지는 것보다 훨씬 큰 초점심도, 마스크 없이 반도체 웨이퍼 직접 패터닝의 장점들을 가지고 있다. 그러나 0.25마이크론의 해상도 이하에서 시간당 약 10장의 웨이퍼 밖에 생산할 수 없는 단점을 가지고 있다. 광학 노광에서 빛의 해상도는 빛의 회절에 의해 제한되는데 비해 전자빔 리소그래피에서는 전자의 산란이 해상도에 제한을 준다.
2.극자외선 리소그래피
극자외선 리소그래피는 처리량 손실 없이 최소 선폭을 30마이크론 까지 확장하기 위한 차세대 노광 기술이다. 극자외선 복사는 다층으로 코팅된 편평한 실리콘이나 유리판 마스크 위에 증착된 흡수제 물질을 패터닝 하여 만들어진 마스크에 의해 반사된다. 극자외선 복사에서지는 4배 축소 카메라를 통해 마스크의 비패터닝 영역에서 반사되어 웨이퍼 위의 얇은 층의 감광막에 형상화 된다. 극자외선 공정은 모든 물질에 강하게 흡수되기 때문에, 이 리소그래피는 반드시 진공 내에서 진행되어야 한다. 또 카메라는 반사 렌즈 성분을 사용해야만 하고, 반사경들과 공마스크 부분은 다층 코팅 되어야만 하는 어려움이 있다.
3.X-ray Lithography (X선 리소그라피)
X-rayLithograph는 반도체 웨이퍼 위에 감광(X-ray) 성질을 가지고 있는 포토 레지스트 (Photoresist)를 얇게 바른 후, 원하는 마스크 패턴을 올려 놓고 X 선을 가하여 사진을 찍는 것과 같은 방법으로 회로를 구성한다. 회로 선폭 0.1미크론 이하의 회로를 형상화할 수 있어 생산 장비로 개발하고 있으나 기술적 어려움이 있다.
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이온들이 더 큰 질량을 가지고 있어서 전자보다 적게 산란하기 때문에 이온 빔 노광은 광학, 엑스선, 전자빔 노광보다 더 높은 해상도를 얻을 수 있다. . 가장 중요한 응용은 상업용 시스템이 가능한 분야인 광학 노광용 마스크의 수정이다.
<참고 자료>
http://www.sunmoon.ac.kr/%7Eebeam/main/litho.html
http://www.ofthinfilm.com/thinfilm/thinfilm_content00.htm
LG PHILIPS-LCD HOMEPAGE
알기쉬운 반도체세미나/전전정일,정학기/성안당
공학도를 위한 기초전디전자공학/김영춘/미전사이언스
인류사를 바꾼 100대사건/이정임/학민사

키워드

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