전자 회로 실험

목차

1장. 집합 다이오드 특성
2장. 제너 다이오드 특성
6장. 반파 및 정파 정류회로
7장. 변압기를 사용한 전원 및 여파장치
9장. 브릿지 정류기
10장. 트랜지스터
11장. 공통 이미터 회로에서의 전류이득
12장. 트랜지스터 데이터와 공통 이미터 회로에 대한 컬렉터 특성
14장. 이미터 접지 증폭기의 바이어스와 증폭도
15장. 이미터 접지 증폭기의 임피던스, 전력 및 위상
17장. 이미터 폴로워(컬렉터 접지 증폭기)
18장. 트랜지스터 증폭기의 부하선 분석
19장. 종속접속 증폭기
23장. 접합형 전계효과 트랜지스터와 그 특성곡선

본문내용

3. 고 찰
이번 실험은 P-N 접합 다이오드에 순방향, 역방향 바이어스를 가해 주었을 때 어떤 변화가 생기는지를 관찰하고, 접합 다이오드가 가해주는 전압에 따라 전류가 어떻게 변화 하는지를 알아보는 실험 이였다. 우선 표1-1의 결과값을 보면, 과정 2에서 다이오드에 측정되는 전압이 0.7V가 되도록 순방향 바이어스를 가했을 때, 다이오드에 흐르는 전류가 8.34mA 가 측정 되었다. 측정된 전류와 전압으로 구한 다이오드 저항이 4.89Ω이다. 과정 3,4에서 같은 회로에서 다이오드의 극성을 반대로 했을 때, 다이오드에 걸리는 전압이 -2.60V, 전류가 0mA로 측정되었다. 이것은 다이오드에 순방향 바이어스를 가했을 때 전류가 흐르고, 다이오드가 가지고 있는 어느 정도의 저항이 측정 될 것이다. 하지만 역방향 바이어스를 가하게 되면 전류가 흐르지 않게 되고, 회로에서의 의미는 open 상태와 같다고 볼 수 있을 것이다. 따라서 다이오드 저항은 무한대로 볼 수 있다. 계산한 다이오드의 저항값과 옴메타로 측정한 저항값에 있어서 Si의 경우 적은 오차가, Ge의 경우 큰 오차가 있었다. 실제 실험 장비를 바꿔 보았을때 장비 마다 차이를 보여주어 실험과정은 정상적으로 진행되었으나 실험장비가 정상적인 실험을 하는데 있어서 어려움이 되었다. 실험조교님의 말씀을 들어 보아도 장비의 문제점을 들 수 있었고, 후일 같은 실험을 한다면 더 나은 환경에서 진행되었으면 하는 아쉬움도 있었다.

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