Chemical Mechanical Polishing, cmp , 화학적 기계적 연마

목차

화학적 기계적 연마 개념 및 도입 목적
CMP 공정의 개략도
- CMP 공정의 기본 원리
- CMP 구성 및 공정 원리
- CMP 구성 요소

세계 시장 기술 및 시장 분석

국내 시장 기술 및 시장 분석

장비 기본 설계 개념 및 개념도

화학적 기계적 연마 개념 및 도입 목적

CMP 공정의 개략도
- CMP 공정의 기본 원리
- CMP 구성 및 공정 원리
- CMP 구성 요소

세계 시장 기술 및 시장 분석

국내 시장 기술 및 시장 분석

장비 기본 설계 개념 및 개념도( 2D 도면 및 3D도면)

설계 일정

본문내용

Polisher : 일정한 압력과 속력으로 회전하며 막을 Polishing하는 장치
Post Cleaner : Polishing 완료후 Wafer 표면의 이물질을 제거하는 장치
Slurry : Chemical Polishing 요소를 갖는 연마제
Pad : Mechanical Polishing 요소를 갖는 연마포
Slurry Distributor : Polisher에 Slurry를 공급하는 장치
CMP 공정에서 LCD는 패드와 슬러리에 의해서 연마되어지며, 패드가 부착되어진 연마 table은 단순한 회전운동을 하고 head부는 회전운동과 요동운동을 동시에 행하며 일정한 압력으로 가압을 하여 준다
*장비 도입 목적
CMP 공정은 반도체 소자가 다층 배선 구조를 가지고 좀더 엄격한 광역 평탄화와 엄격한 초점 심도(Depth of Focus)를 요구하기 때문에 도입되었고 소자가 더욱 미세화되고 웨이퍼가 더욱 대형화 되기 때문에 CMP에 대한 수요는 급격히 증가할 것이다.

키워드

Chemical Mechanical Polishing,   CMP,   화학적 기계적 연마,   연마,   폴리싱