LED Electrical properties

소개글

LED Electrical properties에 대한 보고서 자료입니다.

목차

1. Diode의 Current-Voltage 특성
2. Ideal I_V 특성으로부터의 편차
3. Homojunction and Heterojunction
4. 기타 고려해야 할 사항

본문내용

LED: Basic Electrical Properties




1. Diode의 Current-Voltage 특성
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　≪ 그 림 ≫

1. p-n juction Diode에서,

　　　　　　　　Dp　　　　　　Dn
I = e ·A(√─────Na + √─────Nd)e ·e(v-vd)/kt
　　　　　　　　τp　　　　　　τn

(From Shockley Equation)로 나타낼 수 있음.

즉, if ① V=0이면, I는 e음수 꼴 < 1
② V=VD이면, I는 e0 = 1
③ V>VD이면, I는 eX 즉 걸리는 Voltage에 exponential하게 증가함.

결국 Diode의 Threshold Voltage Vth ≈ VD


2. 그런데, 그림 1.1의 Band Gap Diagram에서
eVD – Eg + (EF-EV) + (EC-EF) = 0 (1.1)

High doping condition에서는 EF-EV and EC-EF << Eg 이므로, 무시할 수 있다.
즉 식 (1.1)은 eVD = Eg , Vth ≈ VD = Eg /e

∴ 재료의 Vth 는 Band Gap과 연관 있음을 알 수 있다.




1. Diode의 Current-Voltage 특성
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　≪ 그 림 ≫


그림 1.2에서 보는 것처럼,

각 Material의 Eg에 따라 Threshold Voltage(Vth or VF)가 거의 비례하여 달라짐을 알 수 있다.

　≪ 그 림 ≫

3. 그런데, 그림 1.3을 보면 GaN(Ⅲ_Nitride)류 Material의 VF가 예상치보다 높다.

그 이유는,
① Large Band Gap이 Additional Voltage drop을 야기할 수 있고,
② Ⅲ_Nitride material의 contact technology 수준이 아직 낮아서 contact 부위에서 Additional Voltage drop이 생기기 때문이다.

키워드

LED,   Electrical property,   GaN,   InGaN,   AlGaN,   pGaN,   Diode