Power BJT, Power FET, Thyristor, IGBT 스위칭 소자에 대한 특성 분석

소개글

Power BJT, Power FET, Thyristor, IGBT 스위칭 소자에 대한 특성 분석에 대한 보고서 자료입니다.

목차

[1] BJT
[2] BJT 기본 구조
[3] BJT 동작
[4] BJT 차단 모드 동작
[5] BJT 포화 모드 동작
[6] FET-JFET, MOSFET
[7] JFET- Gate와 Channel 이 PN접합의 상태
[8] MOSFET- Channel에 절연 Gate를 사용하여 D-S간 전류를 제어.
[9] FET Switching Circuits.
[10] FET Switching Circuits.
[11] Thyristor-SCR(역저지 3단자 사이리스터)-실리콘 제어 정류소자
[12] SCR 턴온 과정
[13] SCR 턴 오프 방법
[14] IGBT
[15] IGBT

본문내용

Power BJT, Power FET,
Thyristor, IGBT
스위칭 소자에 대한 특성 분석




[1] BJT

➠ Bipolar Junction Transistor
➠ Switching , Amplifier
➠ 1200V,400A 정격에도 사용 가능 , 10kHz 이상에서 동작하는 변환기에도 사용

〔다수 및 소수 캐리어에 의해 동작〕〔FET에 비해 크기가 큼〕

〔쌍극성 소자〕　≪ 사 진 ≫〔전류제어방식〕

〔FET에 비해 전력소모 큼〕〔FET보다 높은 전압 가짐〕




[2] BJT 기본 구조

• 바이폴라 접합 트랜지스터(BJT)는 N형과 P형으로 도핑된 3개의 반도체 영역과
이들에 의해 형성되는 두 개의 PN접합으로 구성

　　　　　　　≪ 그 림 ≫　　　　　　　　　　　≪ 그 림 ≫

PNP형: 베이스가 N형이고 이미터가 P형　　NPN형: 베이스가 P형이고 이미터가 N형

　　　　　　　≪ 그 림 ≫　　　　　　　　　　　≪ 그 림 ≫




[3] BJT 동작

　　　≪ 그 림 ≫　 　　　≪ 그 림 ≫　　　 ≪ 그 림 ≫

차단모드-개방 스위치　　활성모드 : 증폭기　　포화모드 : 도통 스위치

키워드

Power BJT,   Power FET,   Thyristor,   IGBT ,   스위칭 소자,   전력전자소자