[전자회로] Pspice 사용법 및 시뮬레이션 실습

목차

1. 제목

2. 목적

3. 이론

4. 결과 및 분석

5. 토의

6. 참고문헌

본문내용

se time은 6.5ns, fall time은 3.5ns였다.
또한, tPLH, tPHL을 측정하기 위해 마찬가지로 50% 평균치를 구해야 하는데 측정이 어려워 마찬가지로 0%, 100% 지점을 probe cursor를 이용하여 먼저 찾은 뒤 50% 수치 값으로 설정했다. 그 결과 tPLH는 12ns, tPHL는 7ns였다.
(5) 설계
위의 회로에서는 initial voltage가 1.8V인 펄스파를 입력 값으로 주었고, 여기서 pulse voltage, delay time, rise time, fall width는 0, pulse width는 50m, period는 100m로 설정했다. (4)번의 Transient simulation에서 살폈던 것과 마찬가지로 위의 inverter회로는 입출력의 high, low가 반전되는 특징을 갖는다.
위의 회로는 NMOS와 PMOS의 게이트를 연결하여 on/off를 제어하고, 두 소자의 drain을 연결하여 출력 값을 얻는다. 즉, 입력이 high인 경우에는 NMOS가 on이 되어 low값이 출력되고, 입력이 low인 경우에는 PMOS가 on이 되어 high값이 출력된다.
5. 토의
오어캐드는 처음 사용하는 것이라 초반에 익숙해지는 데 오래 걸리지는 않았다. 이번 실험에서는 Schematic tool을 이용해 주어진 회로를 구성하고 각 회로에 대해 DC sweep, DC parametric sweep, frequency response, transient등을 이용하여 simulation을 시행해 회로의 특성을 분석하였다.
기본적으로 simulation의 경우 기준 설정이 상당히 중요한데, DC sweep은 DC 전원의 값을 변화 시키며 그에 따른 출력 값을 살피고, DC Parametric sweep은 DC 전압과 특정 parameter의 값을 변화시키며 그에 따른 변화를 도출하는 것이다. AC sweep는 주파수 변화에 따른 출력 값 변화, Transient는 시간의 변화에 따른 변화를 관찰할 수 있다. 특히, Transient의 경우에는 인가되는 전압 형태에 따라 time과 관련된 여러 가지 특성들을 분석할 수 있다.
이러한 툴을 이용하는 것 뿐 아니라 다양한 회로를 구성하며 특정 회로에 대한 이해도를 넓힐 수 있었다. (1)번은 가장 전형적인 반전 증폭기, (2)번은 MOS소자(그중에서도 NMOS)의 특성 곡선, (3)번은 Low pass filter의 구현, (4)번은 펄스파의 parameter이해와 inverter의 특성, 그리고 마지막 설계는 NMOS와 PMOS로 구현된 CMOS inverter였다. 특히, CMOS inverter의 경우 문턱 전압 이상의 전압이 입력되어야 NMOS 혹은 PMOS의 상태가 on/off 된다는 특성이 있어 입력 전압을 변화시키며 출력 파형을 확인한 결과 input이 2V가 넘어가는 시점부터 출력 전압이 반전되어 나오는 것을 확인할 수 있었다.
6. 참고문헌
[1] 대학전자회로 실험, 1997년, 청문각, 이승훈외 3명 p.303~p.311

키워드

전자회로,   Pspice,   시뮬레이션,   ORCAD