Unbalanced Magnetron(UBM) Sputtering

소개글

Unbalanced Magnetron(UBM) Sputtering에 대한 보고서 자료입니다.

목차

1. UBM Sputtering
2. Magnetron sputtering
3. UBM sputtering 특징
4. UBM sputtering 을 왜사용 하는 것일까?

본문내용

Unbalanced Magnetron(UBM) Sputtering



1. UBM Sputtering

- UBM sputtering 장치는 Magnetron sputtering 장치를 개선 하여 내부 자석과 외부 자석의 자장의 세기를 다르게 설계한 장치이며, 자장이 내부와 외부 사이를 벗어나므로 전자가 기판의 표면 쪽으로 향하는 유속이 생긴다. 이러한 자기장은 전기장 방향과 가까우므로, 결국엔 전기장의 방향과 비슷해져 전자가 자기장을 따라 나선운동을 하며 기판 쪽으로 향한다. 따라서 플라즈마가 음극 부근에 국한하여 분포하지 않고 전체적으로 고르게 분포된다.

- UBM sputtering 의 기본 원리는 타겟 배면에 설치하는 자기장의 강도를 변화시켜서 플라즈마가 타겟 주위로 구속되는 것이 아니라 기판 방향으로 퍼져 나가도록 함으로써 이온의 흐름을 유도하는 것이다. 기판의 온도를 낮게 유지할 필요가 있는 경우를 제외하고는 UBM sputtering 을 이요하는 것이 고품질 박막을 얻을 수 있으며 증착속도도 크게 향상되어서 최근에 들어서 여러 형태의 UBM sputtering 기술들이 개발되고 있다.

　≪ 그 림 ≫

키워드

Unbalanced Magnetron,   UBM,   sputtering,   UBM Sputtering