[결정면, 바이스계수, 구면투영, 지수, 스트레오투영, 반도체공학, 반도체, 텅스텐 결정면, 텅스텐, 스테레오망면]결정면과 바이스계수, 결정면과 구면투영, 결정면과 지수, 결정면과 스트레오투영 분석
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소개글

[결정면, 바이스계수, 구면투영, 지수, 스트레오투영, 반도체공학, 반도체, 텅스텐 결정면, 텅스텐, 스테레오망면]결정면과 바이스계수, 결정면과 구면투영, 결정면과 지수, 결정면과 스트레오투영 분석에 대한 보고서 자료입니다.

목차

Ⅰ. 개요

Ⅱ. 결정면과 바이스계수
1. 한 면이 세결정축을 절단하는 단위길이의 상대적인 수로서 표현
2. 축절단길이를 알고 있을 때

Ⅲ. 결정면과 구면투영
1. 직접투영
1) 면
2) 선(축)
2. 역투영
1) 면
2) 선(축)
3. 극좌표(Angular Coordination)
1) 위도(lattitude, ρ)
2) 경도(longitude, φ)

Ⅳ. 결정면과 지수
1. 밀러지수(Miller index by W. H. Miller : 19세기 초)
1) 일반규칙
2) 밀러지수의 일반형
2. 밀러-브라바이스지수(Miller-Bravais indices by Auguste Bravais : 1851)

Ⅴ. 결정면과 스트레오투영
1. 스테레오투영면 상에 φ,ρ의 표시방법(극좌표의 전환)
2. 스테레오망면(Stereographic Net) = 울프망면(Wulff Net)
3. 사방정계 결정의 스테레오투영과 스테레오그램(Stereogram)

참고문헌

본문내용

읽는다.
2) 밀러지수의 일반형
-세축 모두 교차 : (hkl)
-두축 교차 : (hk0)(0kl)(h0l)(110)(101)(011) ...
-한축 교차 : (100)(010)(001) ...
2. 밀러-브라바이스지수(Miller-Bravais indices by Auguste Bravais : 1851)
-축이 4개(a1, a2, a3, c)인 육방정계광물의 결정면 면지수
-밀러-브라바이스지수의 일반형 : (hkil)
단,
위에 식에서 보듯이 h와 k만 알면 i를 쉽게 구할 수 있으므로 i를 생략하고(hk*l)이나(hkl)로 쓰기도 한다.
Ⅴ. 결정면과 스트레오투영
-구면투영(역투영)으로부터 유도된 투영법
-투영면은 기준구(reference sphere)의 적도면(equatorial plane)
-구면투영에서 얻어진 투영점(극) 중 북반구의 상만을 이용
-북반구의 투영점(극)과 남극을 직선으로 연결했을 때, 이 직선이 적도면을 통과하는 점이 -스테레오투영의 투영점(극)
-투영면 역시 동일한 방법으로 투영하면 직선, 또는 곡선으로 나타난다.
1. 스테레오투영면 상에 φ,ρ의 표시방법(극좌표의 전환)
스테레오투영은 2차원이기 때문에 구면투영에서의 3차원 좌표(극좌표 : φ,ρ)를 2차원으로 표현해야한다.
2. 스테레오망면(Stereographic Net) = 울프망면(Wulff Net)
극(pole)의 φ와 ρ를 이용하여 스테레오그램을 작도할 수 있다.
3. 사방정계 결정의 스테레오투영과 스테레오그램(Stereogram)
결정의 대칭요소 즉, 대칭축과 거울면 만을 스테레오투영한 것을 스테레오그램(Stereogram)이라 한다.
대칭요소는 직접 투영하여 나타낸다.(대칭축 → 점, 거울면 → 선)
대칭축의 경우, 점으로 투영된 지점에 국제적으로 약속된 기호를 표기하여 나타낸다(제1장 대칭조작 참조).
거울면은 굵은 실선으로 표기한다.
참고문헌
▷ 김동명(2011), 반도체 공학, 한빛미디어
▷ 김용욱 외 6명(1994), 텅스텐 결정면의 수소흡착에 관한 연구, 한국진공학회
▷ 백영현(1974), AgI 결정면에 물의 흡착에 관한 이론적 고찰, 한국표면공학회
▷ 박노길 외 3명(1993), 산소 흡착에 의한 텅스텐 결정면의 일함수 변화, 한국진공학회
▷ 박용수(2005), 물리전자공학기초, 내하출판사
▷ 장광균 외 4명(1993), 단결정 다이아몬드의 연마특성 1 : 각 결정면의 연마 이방성, 한국정밀공학회
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  • 페이지수6페이지
  • 등록일2013.07.15
  • 저작시기2021.3
  • 파일형식한글(hwp)
  • 자료번호#861323
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