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없음
본문내용
수 있다.
트랜지스터를 전류 또는 전압 증폭 용도 즉, 증폭기로 사용하거나 스위칭 목적으로 사용하기 위해서는 트랜지스터가 소정의 동작점에서 동작하도록 일정한 직류 전압 또는 전류를 가해 주어야 한다. 이와 같이 DC 전압, 전류를 가해 주는 것을 DC 바이어스라 한다. 바이어스의 목적은 트랜지스터가 선형 영역에서 동작하여 신호가 일그러짐 없이 출력되도록 하기 위함이다. 트랜지스터 컬렉터 출력 특성 곡선을 이용하여
선형 영역과 스위칭 영역에서 동작되는 DC 바이어스 영향을 관찰할 수 있다.
선형 영역은 그림에서 부는 바와 같이 차단 영역과 포화 영역 즉 스위칭 동작 영역을 제외한 특성 곡선의 출력 전압 의 변화에도 출력 전류가 대체로 일정한 영역을 말하며 이 영역에서 입력 전류와 출력 전류는 전류 증폭률을 비례 상수로 하여 거의 비례 관계를 갖고 있다. 따라서 선형 영역 내에서 적절한 동작점을 설정하게 되면 출력 전압은 입력 전압과 선형적으로 비례하는 파형을 얻을 수 있다.
트랜지스터에 입력 신호를 인가하여 입력 신호 전체에 대하여 트랜지스터가 응답하기 위해서 우리는 트랜지스터의 직류 동작점을 잘 선정해야 한다.
트랜지스터의 동작점은 출력 컬렉터 DC전압과 출력 컬렉터 DC전류로 결정된다. 이와 같은 동작점은 몇 가지 바이어스 방법에 의해 구할 수 있다. 고정 바이어스, 이미터 바이어스, 전압 분배 바이어스, 컬렉터 피드백 바이어스 등이 그것이다.
고정 bias 회로 설계
*계산 방법
3. 실 험
트랜지스터는 1959트랜지스터를 사용하였다.
*설계
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
TR에서 1)은 이미터 2는 베이스 3은 컬렉터
1.번 실험
VBE,VCE를 측정하라 ( DCV)
VBE = 0.64V
VCE = 3.71V
2.번 실험
Vin에 정현파 1KHZ, 50mVpp 를 인가하라
function generator 가 연결 된 상태에서 측정하여
1KHZ, 50mVpp가 되도록 조정한 후 그 파형을 그려라.(Vin)
3.번 실험
출력파형을 측정하고 그 파형을 그려라(Vout)
4.번 실험
Aμ(전압 증폭도)
4. 결 과
이번 실험에서 전류증폭하기전 증폭후를 DSO를 통해 직접 눈으로 확인할수있어다. 그래서 트랜지스터 증폭회로의 원리를 이해할 수 있었고, 트랜지스터마다의 증폭도가 다르다는걸 교수님을 통해 알수있었다.
저번실험과 이번실험이 트랜지스터의 모든 것은 아니지만 이해하는데 많은 도움이 되었다.
트랜지스터를 전류 또는 전압 증폭 용도 즉, 증폭기로 사용하거나 스위칭 목적으로 사용하기 위해서는 트랜지스터가 소정의 동작점에서 동작하도록 일정한 직류 전압 또는 전류를 가해 주어야 한다. 이와 같이 DC 전압, 전류를 가해 주는 것을 DC 바이어스라 한다. 바이어스의 목적은 트랜지스터가 선형 영역에서 동작하여 신호가 일그러짐 없이 출력되도록 하기 위함이다. 트랜지스터 컬렉터 출력 특성 곡선을 이용하여
선형 영역과 스위칭 영역에서 동작되는 DC 바이어스 영향을 관찰할 수 있다.
선형 영역은 그림에서 부는 바와 같이 차단 영역과 포화 영역 즉 스위칭 동작 영역을 제외한 특성 곡선의 출력 전압 의 변화에도 출력 전류가 대체로 일정한 영역을 말하며 이 영역에서 입력 전류와 출력 전류는 전류 증폭률을 비례 상수로 하여 거의 비례 관계를 갖고 있다. 따라서 선형 영역 내에서 적절한 동작점을 설정하게 되면 출력 전압은 입력 전압과 선형적으로 비례하는 파형을 얻을 수 있다.
트랜지스터에 입력 신호를 인가하여 입력 신호 전체에 대하여 트랜지스터가 응답하기 위해서 우리는 트랜지스터의 직류 동작점을 잘 선정해야 한다.
트랜지스터의 동작점은 출력 컬렉터 DC전압과 출력 컬렉터 DC전류로 결정된다. 이와 같은 동작점은 몇 가지 바이어스 방법에 의해 구할 수 있다. 고정 바이어스, 이미터 바이어스, 전압 분배 바이어스, 컬렉터 피드백 바이어스 등이 그것이다.
고정 bias 회로 설계
*계산 방법
3. 실 험
트랜지스터는 1959트랜지스터를 사용하였다.
*설계
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
TR에서 1)은 이미터 2는 베이스 3은 컬렉터
1.번 실험
VBE,VCE를 측정하라 ( DCV)
VBE = 0.64V
VCE = 3.71V
2.번 실험
Vin에 정현파 1KHZ, 50mVpp 를 인가하라
function generator 가 연결 된 상태에서 측정하여
1KHZ, 50mVpp가 되도록 조정한 후 그 파형을 그려라.(Vin)
3.번 실험
출력파형을 측정하고 그 파형을 그려라(Vout)
4.번 실험
Aμ(전압 증폭도)
4. 결 과
이번 실험에서 전류증폭하기전 증폭후를 DSO를 통해 직접 눈으로 확인할수있어다. 그래서 트랜지스터 증폭회로의 원리를 이해할 수 있었고, 트랜지스터마다의 증폭도가 다르다는걸 교수님을 통해 알수있었다.
저번실험과 이번실험이 트랜지스터의 모든 것은 아니지만 이해하는데 많은 도움이 되었다.
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