트랜지스터

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MOS 구조를 하고 있다.
이 구조의 특징은 중간 층에 절연막이 있다는 것이다. 그래서 gate에 어떤 (+),(-)가 걸리 더라도 전류가 흐를 수 없다는 것이다. 따라서 입력 임피던스가 매우 크다. 약 1013Ω 이다. 이는 성능 면에서 더욱더 좋은 것이다. 또한 실리콘 기판 하부 쪽으로 substrate 단자가 하나 더 있는데 동작의 단순화를 위해 보통 source 단자 쪽과 연결하여 사용한다.
Fig.3 MOSFET structure
　
3. MOSFET 의 종류
　 ① Depletion형 MOSFET
전도채널을 미리 제조하고, Gate 전압에 의해 전도채널 폭을 조절하는 동작을 한다. Depletion형 MOSFET는 집적회로 에서 능동 소자 보다 수동 소자로 많이 이용 되는데 source-drain을 고농도로 도핑하여 이 사이의 반송자가 많아 지므로 전류량이 많아 진다. 실 사용 시에는 source-drain의 구분이 없다.
Fig.4 Depletion MOSFET
　
② Enhancement형 MOSFET
제조시 전도채널을 만들지 않는다. 따라서 gate 전압에 의해 채널을 유도 시키는 동작을 한다.
즉, gate 에 전압이 없으면 source-drain에 전류가 흐르지 못한다. 전도채널을 생성하기 위해서 gate에 강한 전압을 걸어 주어 채널을 생성한다. 이때 P형 실리콘이 N형 실리콘으로 변환 되는데 이를 Inverse Layer라 한다.
Fig.5 Enhanced MOSFET
　
출처:http://www.semipark.co.kr/semidoc/basic/mosfet.asp

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트랜지스터,   원리,   구조