전자회로-15장 복합구조 예비레포트

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목차

1. 이론
**기초적 이론

본문내용

낮은 주파수 성분이나 직류성분까지 증폭해야할 때 사용한다. 한 증폭단의 컬렉터를 다음 단의 베이스에 직접연결한다. 한 증폭단의 직류 전압과 전류에 변화가 생기면 다른 증폭단의 직류전압과 전류에도 변화가 있다.
3) BJT-JTEF
**기초적 이론
-쌍극성 트랜지스터
Bipolar Junction Transistor 세 개의 반도체를 연속 접합 시킨 구조
각 단자의 이름은 이미터 컬렉터 베이스
-전계효과 트랜지스터(JFET)
Junction Field Effect Transistor 전계로 전류를 제어한다.
각 단자의 명칭은 게이트 소스 드레인.
n 채널 JFET
전자는 소스에서 드레인으로 흐름
바이어스 전압 Vgg가 강해지면 결핍층이 늘어 소스와 드레인 사이의 폭이 줄어듬
FET에서 PN접합의 기능은 단지 채널의 폭을 조절하는 역할을 수행
-전압분배 바이어스 입력
동작점의 안정도가 우수하여 트랜지스터의 바이어스 방법으로 가장 많이 사용된다.
PSPICE 컴퓨터실습
**15-1
-교류결합 다중 증폭기
-교류결합 (증폭단 위치 바뀜)
**15-2
-직류결합 다중 증폭기
-직류결합 (증폭단 위치 바뀜)
**참고문헌
네이버
구글
전자회로 설계 및 실험 교재

키워드

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