예비_MOSFET 전류-전압특성 및 바이어스 회로

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예비_MOSFET 전류-전압특성 및 바이어스 회로에 대한 보고서 자료입니다.

본문내용

션 하라
NMOSFET의 전압분배 바이어스 동작점
이론값
시뮬레이션 값
2.16V
2.177V
5.3V
5.235V
1.66mA
1.574mA
■ 모의실험회로 3 : NMOSFET 공통 소스 증폭기 회로를 시뮬레이션 하시오
Ch A의 출력값의 평균이 “0”이 아니라서 DC　Offset을 1mv로 주어 평균값을 1로 맞추었다.
회로
[V]
전압이득
시뮬레이션 값
전압이득
이론 값
공통 소스 증폭기
0.2V
1.925V
8.3
8.5
3 Pre-Lab(예비실험): 실험 절차
1. NI ELVIS II 전원 켠다.
2. Bread Board에 실험회로를 구성한다.
3. PB 전원 켠다..
4. ELVIS Instrument Launcher를 켜고 DMM을 실행한다.
5. DMM에서 측정할 종류를 선택하고 실행한다.
6. 주파수분주기와 오실로스코프를 연결한다.
7. 오실로스코프를 선택하고 회로를 설계하여 측정한다.
8. 실험이 끝나면 구성한 회로를 분리 및 정리한다.
9. ELVIS II 전원 끈다.
4 Pre-Lab(예비실험): 검토 및 느낀점
이번 실험을 통해서 MOSEFT의 특성에 대해 알아보았다. 이번 실험으로 와 의 전압-전류 특성도 알 수 있었고, 문턱전압이라는 가 무었을 의미하는지도 알게 되었다. 아직 전자회로 이론 시간에 배우지 않은 내용이라 생소한 부분들이 많이 있지만, 예비보고서 이론 조사를 하면서 전반적인 지식을 얻을 수 있어서 전자회로 이론 수업시간에 다시 듣는다면 수업을 더 잘 들을 것 같다. 실제 실험에서 Multisim으로 구한 실험값과 ELVIS로 구한 측정값이 같은지 확인하겠다.

키워드

멀티심,   전자회로실험,   전자회로설계,   회로