[A+ 4.5 예비레포트] 기초전자공학실험 - JFET 특성, JFET 바이어스 회로(PSpice 포함)

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목차

제목
실험 목적
실험 장비
이론
출처

본문내용

수직선상의 어떤 점에서도 항상 이다. 쇼클리 방정식 그래프와 그래프가 교차하는 점이 동작점이다. 출력단의 는 출력 측에 KVL을 적용하면
4. 자기 바이어스 회로
두개의 직류 전원을 사용하지 않아도 되고 이 바이어스는 고정바이어스 회로의 소스에 저항을 하나 더 추가하여서 만든 회로이다.
이론
- 자기 바이어스 회로 해석
이므로 저항 는 단락회로로 대체할 수 있다. 이므로 폐회로에 KVL을 적용하면
로 선택하면 가 되고 이 값을 토대로 직선을 그려 쇼클리 방정식 그래프와 교차하는 점이 동작점이다. 이므로 가 커질수록 기울기는 작아진다.
출력단의 는 출력 측에 KVL을 적용하면
5. 전압분배기 바이어스 회로
BJT의 전압분배기 회로와 같은 구조로 이루어진 JFET회로이다. 기본적인 구조는 동일 한데 직류해석은 매우 다르고 이 회로는 잘 쓰이지 않는다.
이론
- 전압분배기 바이어스 회로 해석
이므로 이다. 입력 측에서 KVL을 적용하면
부하선의 방정식으로 직선을 그려 동작점을 결정할 수 있다.
PSpice 모의실험 12-1
드레인-소스 전압
답 : 2.235V
2. 게이트-소스 전압
답 : 891.1mV
3. 드레인 전류
답 : 2.577mA
4. 게이트 전류
답 : 6.527uA
이론
PSpice 모의실험 12-2
4. 프로브 플롯에서 x축을 V_VDD, 또는 V(D)의 단위로 정하고, 드레인 전류 ID(JI)의 궤적을 얻어라.
답 :
5. 포화전류 IDSS의 값을 구하라.
답 :
6. 핀치 오프 전압의 값을 구하라.
답 :
4. 프로브 플롯에서 x축을 V_VGG, 또는 V(G)의 단위로 정하고, 드레인 전류 ID(JI)의 궤적을 얻어라.
답 :
5. 포화전류 IDSS와 핀치 오프 전압의 값을 드레인 특성 곡선에서 얻은 값과 비교하라.
답 :
이론
PSpice 모의실험 13-1
드레인 전류를 구하라.
답 : 928.0uA
2. 드레인-소스 전압을 구하라.
답 : 15V
3. 게이트-소스 전압을 구하라.
답 : 23.04uV
4. 직류 전원 VDD에서 전달되는 직류 전력을 구하라.
답 : 13.92mW
5. 각각의 저항에서 흡수되는 직류 전력을 구하라.
답 : RD = 861.2uW, RG = 531.0e-18W,
RS = 1.034mW
6. 저항 RG에 흡수되는 직류 전력값에 대해 설명하라.
7. JFET에서 흡수되는 전력을 구하라.
답 : 12.03mW
8. 드레인-소스 전압이 1/2(VDD) 값에서 ±10% 이내로 결정되어야 할 경우, 주어진 이 회로는 이 조건을 만족하는가?
답 : 만족한다.
이론
PSpice 모의실험 13-2
1. 드레인 전류를 구하라.
답 : 3.557mA
2. 드레인-소스 전압을 구하라.
15-3.557*1 = 11.443V
답 : 11.443V
3. 저항 RD에 걸리는 전압을 구하라.
3.557mA*1= 3.557V
답 : 3.557V
4. 게이트-소스 전압을 구하라.
답 : 3.462V
5. 소스 전압을 구하라.
답 : 0V
6. 직류 전원 VDD에서 전달되는 직류 전력을 구하라.
답 : 70.66mW
7. 각각의 저항에서 흡수되는 직류 전력을 구하라.
답 : RD = 12.65mW, RS = 15.18mW
R1 = 13.31mW, R2 = 3.994mW
8. JFET에서 흡수되는 전력을 구하라.
답 : 25.52mW
9. 드레인-소스 전압이 1/2(VDD) 값에서 ±10% 이내로 결정되어야 할 경우, 주어진 이 회로는 이 조건을 만족하는가?
답 : 만족한다.
출처
http://www.ktword.co.kr/abbr_view.php?m_temp1=4049
http://cherryopatra.tistory.com/130

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예비레포트,   기초전자공학실험,   전자회로 실험