전자회로 ) 전자회로 요약 - MOSFET 증폭기의 기본 구조, 공통소오스 증폭기, 공통드레인 증폭기, 공통게이트 증폭기

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전자회로 ) 전자회로 요약 - MOSFET 증폭기의 기본 구조, 공통소오스 증폭기, 공통드레인 증폭기, 공통게이트 증폭기에 대한 보고서 자료입니다.

본문내용

의해서 게이트-소오스 전압의 변화가 MOSFET의 전달 컨덕턴스인 배만큼 증폭되어서 드레인 전류로 나온다. 드레인 전류와 저항 의 곱에 의하여 드레인에서 출력전압이 나온다.
따라서 게이트에 인가되는 작은 전압은 드레인에서 큰 전압으로 나타나는 증폭작용이 일어난다.
입력전압과 출력전압은 반대의 위상을 가진다.
: coupling capacitor로 DC 성분을 차단하고, 하측의 차단 주파수에 영향을 미친다.
전압 이득 :
입력저항 :
출력저항 :
값의 변화가 증폭기의 전압이득에 미치는 영향이 작아서 안정된 전압 이득을 얻을 수 있다.
공통드레인 증폭기
소오스 전압이 의 차이를 유지하면서 게이트 전압을 따라간다.
소오스 팔로워(source follower)라고도 한다.
입력전압과 출력전압은 동일한 위상을 가진다.
전압이득(1에 가까운 값) :
출력저항(매우 작은 값을 가짐) :
공통게이트 증폭기
소오스에 인가되는 입력전압에 의해 소오스 전류 가 변하며, 드레인 전류 는 소오스 전류 와 같다.
입력전압과 출력전압은 동일한 위상을 가진다.
전압이득 :　
　전류이득(1에 가까운 값) :
입력저항(매우 작은 값을 가짐) :

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전자회로,   전자회로요약하기,   MOSFET,   증폭기