트랜지스터에 관한 모든 것

소개글

트랜지스터에 관한 모든 것에 대한 보고서 자료입니다.

목차

1. 트랜지스터의 분류에 따른 설명

2. 기본적인 트랜지스터에 대해

3. 트랜지스터의 판별법

4. 트랜지스터의 계측법

5. 트랜지스터의 접지 방식

6. 트랜지스터의특성과 BIAS 회로

7. 트랜지스터의 응용 회로

본문내용

그리고 184는 등록 번호를 의미 한다.
그외에 각 회사별로 표기법이 다소 차이는 있으나 이것이 기본이다.
그리고 sony에서 주로 쓰는 TR 의 표기법이다.
예 ) DT A 1 24 E F
--- -- -- --- -- -
① ② ③ ④ ⑤ ⑥
① DT : Digital Transistor 의 약 기호
② A : 극성의 약기호 (위를 참조)
③ 1 : 소자 사양 약기호
④ 24 : R1 저항의 약기호
예) 43: 4K (4.7KΩ)
14: 10K (10KΩ)
24: 20k (22KΩ)
⑤ E : R1/R2 저항 비율 약기호
예) E - R2/R1 = 1
Y - R2/R1 = 5/1
W - R2/R1 = 2/1
X - R2/R1 = 1/2
T - R1
⑥ F : 형상에 따른 약기호
F - FTR
A - ATR
S - SMT
U - UMT
K - SMT
L - FTL
V - ATV
N - TO-92
4. TR의 계측법
[1]PNP 형과 NPN형의 계측법
테스터의 저항계를 R*100 RANGE정도로 두고 , 적색 리이드를 TR의 베이스에 대고 ,흑색 리이드 선을 에미터나 컬렉터에 대었을 때 저저항값을 지시하고 ,리이드의 극성을 반대로 하였을 때 거의 Ω을 지시하면 PNP형이다,
또 ,적색 리이드선을 베이스에 , 흑색 리이드선을 에미터 및 컬렉터에 대었을 떠 저항계의 지시가 Ω, 리이드 극성을 반대로 하였을 때 저저항치를 지시하면 NPN형이다.
[2]에미터와 컬렉터의 판별법
에미터와 컬렉터는 같은 형 반도체지만 불순물 도우핑 농도가 서로 다르기 때문에 분명히 구별 된다.
트랜지스터는 E-B 접합이 순방향이고 ,C-B 접합이 역바이어스 로 될 대 , 즉 활성 영역에 있을 때 증폭 작용이 일어 난다.따라서 이미 베이스 단자는 알고 있는 것으로 할때 NPN형일 경우 컬렉터에 흑색 리이드를 대고 에미터에 적색 리이드를 댄 상태에서 베이스에 손 끝을 대었다가 떼면 저항계의 지침은 큰 변화를 내고 , 리이드의 극성을 반대로 하면 지침의 변화는 거의 없다. 그러므로 흑샌 리이드를 댄곳이 컬렉터 단자임일을 알수 있다.
베이스와 컬렉터에 동시에 대었다가 떼는 경우도 마찮가지 이다.
PNP형인 경우는 리이드의 극성을 NPN형의 반대로 하면 된다.
[3] 양부 판별법
양호한 상태인 경우 ,NPN 형에서
1] 베이스의 흑색 리이드선을,에미터에 적색 리이드를 대었을 때 저항계가 저저항치를 지시하고 , 리이드 극성을 반대로 하면 Ω을 지시한다. ( 단 R * 100 단자에서 )
2] 베이스의 흑색 리이드선을,컬렉터에 적색 리이드를 대었을 때 저항계가 저저항치를 지시하고 , 리이드 극성을 반대로 하면 Ω을 지시한다.
( 단 R * 100 단자에서 )
3] 에미터에 적색 리이드를,컬렉터에 흑색 리이드를 대었을 때 고저항치를 지시하고 ,리이드를 반대로 하면 더 큰 고 저항을 지시한다.
( 단 저항계의 최고치에 놓았을 경우 )
5. TR의 접지 방식
6. TR의 특성과 바이어스 회로
[1] 트랜지스터의 특성
☞ 바이어스란 ? PN 접합에 외부 전압을 가하여 동작 시키는 것
1) TR의 구조
에미터 : TR의 전류 반송자를 주입
베이스 ; 에미터로 부터 주입된 반송자를 제어
컬렉터 : 반송자를 모으는 부분
2) TR의 동작 해석
EB
|
활성 영역 | 포화 영역
-----------+------------- CB
차단 영역 | 역활성 영역
|
[2] TR의 입. 출력특성
1) 입력 특성 (IB-VBE):VCE를 어떤 값으로 고정시키 고 VBE를 변화시켜 IB 의 변화를 구한 특성
2) 출력 특성 (IC - VCE):IB 를 고정 시키고 VCE 를 변화시켜 IC 의 변화를 구한 특성
[3] BIAS 회로
1) 트랜지스터 바이어스 방식
2) 안정 계수 (S)
트랜지스터의 바이어스 회로는 안정화의 정도를 안정 계수로 표시 한다.
S = Ic / Ico
고정 바이어스 S = β + 1
β+1
전압 궤환 바이어스S=-------------------
1+β Rc/(Rb+Rc)
1+ X
전류궤환바이어스 S=(1+β)------------- 1 + β + X
단, X = Rb/RE , Rb = R1R2 / R1 +R2
3) 바이어스 공식
고정 바이어스 : Ic = βIb + (1+β)Ico
전압 궤환 바이어스 : Vcc = (Ib+Ic)Rc + IbRb +Vbe
전류궤환바이어스 :Vce =(Ib+Ic)Re+IbRb+ Vbe
4) 바이어스 회로의 특징 비교
회 로 명
특 징
고정 바이어스
회로가 간단하나 안정도가 나쁘다.
전압궤환바이어스
안정도는 중간 ,출력 임피던스 저하
전류궤환바이어스
회로 복잡 ,안정도 가장 좋음,전력 손실 큼
7. 트랜지스터의 응용회로
1) 증폭 회로
2) 증폭 회로의 동작 상태 비교
A 급
B 급
AB 급
C 급
효 율
최 저
A급과 C급사이
A급과 B급사이
최 대
유 통 각
360˚
180˚
180°
θ 360˚
. θ 180˚
찌그러짐
최 소
A급과 C급사이
A급과 B급사이
최 대
3) 그외의 증폭회로
(1) A급 대신호 증폭기
직 결합 : 부하가 컬렉터에 직접 결함되어 있다.
변압기 결합 : 부하가 출력 변압기를 거쳐 연결되어 있으며 효율이 높고 낮은 공급 전력으로 사용가능,임피던스 정합이 용이한 점등 많은 잇점을 갖고 있다.
(2)푸시풀 증폭기
1 출력 전력이 주어진 경우 일그러짐이 적다.
2 큰 출력을 얻을 수 있다.
3 출력 변압기 1차 코일에 흐르는 직류 성분의 크기가 같고 반대 방향 이어서 직류 여자를 받지 않아 비직선 일그러짐이 제거된다.
4 공급 전원에 리플이 포함되더라도 부하가 나타나지 않는다.
(3) SEPP 회로
1 DEPP (double-ended push-pull) 회로
두개의 트랜지스터가 부하에 대해 직렬로 ,전원에 대해 병렬로 동작 하며 부하 단자가 2개 있는 것을 DEPP 회로라 한다.
2 SEPP (single-ended push-pull) 회로
두개의 트랜지스터가 부하에 대해서는 병렬로, 전원에 대해서는 직렬 로 동작하는 회로로서 부하 단자가 1개인것을 SEPP 회로라 한다.

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