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회로의 트랜지스터에서 β가 증가한다면 VB는?
(a) 감소한다. (b) 증가한다.
(c) 근본적으로는 그대로 유지된다.
⇒ VB=Vcc×R2/(R1+R2)에서 VB값은 전혀 β의 영향을 안 받는 것을 알 수 있다 그러므로 트랜지스터의 β의 감소나 증가로 인해서 VB값은 영
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회로에서 RB를 낮추면?
(a) IB가 감소한다. (b) Ic가 증가한다.
(c) VCE가 증가한다. (d) 위의 모두가 일어난다.
⇒ 회로에서 RB의 값을 낮출 경우 IB=(|VEE|-0.7V)/(RB+β×RE)에서 IB값이 증가하게 되고 이것은 IC값의 증가로 이어진다. IC값이 증가하게 되면
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회로에서 β값이 170에서 150으로 변한다 하더라도 IC의 값이 증가되고 감소되는 문제이지 IB의 값은 거의 변함이 없을 것이라 생각해 보았고, 그러므로 앞에서 구한 25.53uA와 거의 같을 것이라고 생각해 보았다.
2. 그림 1에서 트랜지스터의 β가
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Transistor ,전계효과 트랜지스터)
(1) FET를 이용한 콘덴서 마이크 증폭회로
(2) FET를 이용한 적외선 수신기 회로
(3) FET를 스위치로 활용하기
☆ 부 록 ☆
(1) 트랜지스터 도통테스터 및 전극 찾기
(2) 저항기의 용량 표기 및 판독법
(3) 콘덴서
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트랜지스터라 한다. PNP와 NPN은 carrier가 hole인가 전자인가의 차이만 있고 그 동작원리는 같다. 한편, 에미터를 접지시킨 공통 에미터(약자로 CE : common emitter)회로는 전자회로에서 흔히 쓰이는 회로로서 그 동작원리는 3극 진공관의 경우와 매우
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