전자회로-트랜지스터 베이스 바이어스

본문내용

않게 된다. 그러기 때문에 이러한 단점을 보안하기 위해 베이스 바이어스 대신 Voltage Divider 바이어스, Emitter 바이어스, feedback 바이어스 등이 사용되는 것이라는 것을 후에 추가 학습을 통해 알게 되었다.
실험 9장에 대한 복습문제
1. 그림 1의 회로에서 β=150이면 IB는?
(a) 10㎂ (b) 15㎂ (c) 20㎂ (d) 25㎂
⇒ IB의 값은 β값과 곱해져서 IC값을 만들게 된다. 그림 1의 회로에서 β값이 170에서 150으로 변한다 하더라도 IC의 값이 증가되고 감소되는 문제이지 IB의 값은 거의 변함이 없을 것이라 생각해 보았고, 그러므로 앞에서 구한 25.53uA와 거의 같을 것이라고 생각해 보았다.
2. 그림 1에서 트랜지스터의 β가 상승하면?
(a) IB가 증가한다. (b) Ic가 증가한다.
(c) VCE가 증가한다. (d) 위의 모두가 일어난다.
⇒ 트랜지스터에서 β값이 상승하게 되면 IB × β=IC의 전류이득 공식에 의해 IC가 증가하게 될 것이고 그렇게 되면 Vcc=IC×Rc+VCE에서 IC×RC의 부분이 커지게 되므로 일정한 Vcc의 값을 기준으로 볼 때 VCE값은 감소하게 된다. 또한 β값이 증가하더라도 IB의 값은 위에서 설명한 바와 같이 거의 변함없이 일정할 것으로 생각한다.
3. 그림 1의 회로에서 RB를 작게 하면?
(a) IB가 증가한다. (b) Ic가 증가한다.
(c) VCE가 증가한다. (d) 위의 모두가 일어난다.
⇒ 회로에서 RB를 작게할 경우 Vcc=IB×RB+VBE에서 Vcc와 VBE는 일정하기 때문에 RB를 작게 할 경우 IB의 값이 커지게 된다. 이렇게 되면 일정한 β값이 의해 IC값도 또한 커지게 될 것이고 Vcc=IC×Rc+VCE에서 IC의 증가로 인해 VCE값은 감소할 것이다.
4. 그림 1의 회로에서 컬렉터 포화전류는 대략 얼마인가?
(a) 4㎃ (b) 6㎃ (c) 10㎃ (d) 15㎃
⇒ 회로에서 컬렉터 포화전류 IC(sat)은 IC(sat)=Vcc / Rc=15V/1kΩ=15mA이다
(VCE가 0이기 때문이다.)
5. 그림 1의 회로에서 차단상태에 대한 컬렉터-이미터 전압은?
(a) 5V (b) 7.5V (c) 10V (d) 15V
⇒ 회로에서 차단상태에 대한 컬렉터-이미터 전압 VCE(off)은 VCE(off)=Vcc 이므로 인가전압인 15V의 값을 그대로 가지게 된다.(흐르는 전류 IC가 0이기 때문이다.)

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트랜지스터,   베이스바이어스,   전자회로