트랜지스터의 특성

소개글

트랜지스터의 특성에 대한 보고서 자료입니다.

목차

1.트랜지스터의 정의

2. PNP형 트랜지스터와 NPN형 트랜지스터

3. 내부에서 전자의 움직임

4. 트랜지스터의 특성 표시

5. 트랜지스터의 특징

본문내용

베이스에는 아무 것도 접속하지 않고 이미터에 전원의 (-) 전압, 컬렉터에는 전원의 (+)전압을 가한다. 저항 Rc는 컬렉터의 부하 저항이다. 이때 컬렉터의 전자와 베이스의 정공은 PN접합에 대해 역방향 전압을 가한 것이므로 전류는 거의 흐르지 않는다.
다음에 베이스에 부하 저항 Rb를 통해 (+)전압에 접속하면 이미터의 전자는 베이스의 (+)전압에 의해 베이스와 이미터의 전위 장벽을 뛰어 넘어 베이스의 정공 쪽으로 이동하기 시작하므로 베이스 전류 IB가 흐른다. 그런데 트랜지스터의 접합에서 베이스는 극히 얇게 만들었기 때문에, 이때 이미터의 전자는 이미터의 전자와 함께 컬렉터의 (+)전압에 의해 이동을 시작하여 이미터와 컬렉터 사이가 도통 상태가 되어 컬렉터 전류 Ic가흐른다.
또 베이스는 매우 얇기 때문에 베이스 안에 존재하는 정공 수가 매우 적어 이미터의 전자는 베이스의 정공쪽으로 이동하는 것보다는 컬렉터의 (+)전압 쪽으로 이동하는 것이 압도적으로 많다. 이 때문에 베이스 전류 IB보다는 컬렉터 전류 Ic가 크며 약 10내지는 200배 정도에 이른다. 컬렉터 전류 Ic와 베이스 전류 IB의 비를 전류 증폭률이라 하고, 다음 식으로 나타낸다. 그런데 트랜지스터의 접합에서 베이스는 극히
얇게 만들었기 때문에, 이때 이미터의 전자는 이미터의 전자와 함께 컬렉터의 (+)전압에 의해 이동을 시작하여 이미터와 컬렉터 사이가 도통 상태가 되어 컬렉터 전류 Ic가흐른다.
또 베이스는 매우 얇기 때문에 베이스 안에 존재하는 정공 수가 매우 적어 이미터의 전자는 베이스의 정공쪽으로 이동하는 것보다는 컬렉터의 (+)전압쪽으로 이동하는 것이 압도적으로 많다. 이 때문에 베이스 전류 IB보다는 컬렉터 전류 Ic가 크며 약 10내지는 200배 정도에 이른다. 컬렉터 전류 Ic와 베이스 전류 IB의 비를 전류 증폭률이라 하고, 다음식으로 나타낸다.
전류 증폭률 =
{ I_{ C } } over { I_{ B } }
즉 약간의 베이스 전류로 큰 컬렉터 전류를 얻을 수 있다. 또한 베이스 전류를 바꿈으로써 컬렉터 전류의 크기를 증감할 수 있다. 이것을 트랜지스터의 증폭작용이라 한다.
실험 기구
① 트랜지스터 ② 건전지 ③ 기판 ④ 저항
⑤ 오실로스코프 ⑥ Function Generator
실험 방법
(1)TR의 콜렉터 특성 곡선
① 위 그림처럼 회로를 꾸민다.
② IB를 10 mA로 조정한다. VCE를 1,2,3,4,5,6v로 변화 시켜 가며 그에 따 라 IC값을 측정 한다.
③ IB를 20 mA로 조정한다. VCE를 1,2,3,4,5,6v로 변화 시켜 가며 그에 따른IC값을 측정 한다.
④ IB를 30 mA로 조정한다. VCE를 1,2,3,4,5,6v로 변화 시켜 가며 그 에 따른 IC값을 측정 한다.
예비 고찰
① 위의 실험 결과는 다음과 같이 나온다.
위와 같은 특성이 있기 때문에 전류를 증폭하거나 제어 할 수 있다.
② 순방향으로 바이어스된 이미터는 매우 작은 저항을 가지고 있으며, 역방향으로 바이어스된 컬렉터는 매우 큰 저항을 가지고 있다. 그런데 이 두 영역에는 거의 같은 전류가 흐르게 되므로 커다란 전력이득을 얻을 수 있다. 이 전력 이득은 이미터전류와 컬렉터전류가 같을 때 최대 증폭을 얻을 수 있다.
참고 문헌
안전 관리 위원회 전기 전자 기초 실험 한올 출판사 1997
이성필 고성태 박상현 한수용 전기 전자 기초 실험 대영사 1997
http://asan3.sch.ac.kr/~bslee/lecture
/기초실험3/chap5/5_3.htm
http://clapton73.hihome.com/hpage/전기공학/트랜지스터/트랜지스터.html

키워드

트랜지스터,   특성,   특성곡선,   npn,   pnp,   회로