수광 소자(Si,Ge diodes 및 PD) 특성 측정

소개글

수광 소자(Si,Ge diodes 및 PD) 특성 측정에 대한 보고서 자료입니다.

본문내용

에서는 10 의 온도상승에 대해 2배 증가하는 수도 있다. 암전류 값은 1nA 이하값에서 수백 nA 이상까지 넓게 걸쳐 있다. 일반적으로 실리콘 검출기는 암전류가 가장 작고 InGaAs은 이보다 약간 크며 게르마늄 다이오드는 가장 큰 암전류를 가지는데 이것이 반응도가 엇비슷한 파장대에서 게르마늄보다 실리콘 검출기를 쓰는 이유이다. 따라서 암전류에 의해 광다이오드의 작은 출력전류가 가려지게 될 경우 작은 광신호는 검출될 수 없음을 짐작할 수 있다.
3. 고찰
- PD는 PN 접합 다이오드와 깊은 연관이 있기 때문에 PN접합 다이오드와 PD와의 차이를 정확히 알아야 하겠다. 기본적으로 PD의 특성 실험에서 기판 구성을 해야 한다. PD의 전류와 전압 특성을 관찰하여 이론적인 자료들과 비교해 보고, PD를 이루는 재료에 따라서 그 특성이 어떻게 변화하는지 실험해야 할 것이다. 수광소자는 광신호를 받아들이는 소자이기 때문에 그 반응정도가 파장에 따라 큰 차이를 보이게 될 것이다. 빛을 보내는 작업도 중요하지만 보내온 빛을 얼마나 정확하게!! 많이!! 받아들이나 하는 것도 광통신에서 큰 역할을 차지하는 것이기 때문에 이 수광소자의 특성 파악이 중요하리라 본다.

키워드

수광 소자,   포토 다이오드(PHOTO DIODE),   PN 접합,   태양전지,   암전류